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1

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10

￥4.254186
100

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500

￥3.786217
1000

￥3.571903

ON Semiconductor NSVMMBT6520LT1G

Name: NSVMMBT6520LT1G
Brand: ON Semiconductor
SKU: 1807-NSVMMBT6520LT1G
Price: 4.51 USD
Availability: InStock
Rating: 5 (1 reviews)

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对比

型号

NSVMMBT6520LT1G

品牌

ON Semiconductor

utmel 编号

1807-NSVMMBT6520LT1G

商品类别

晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个

封装

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

交货地

大陆

交期（工作日）

立即发货

ROHS

ECAD

简介

Trans GP BJT PNP 350V 0.5A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R

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NSVMMBT6520LT1G ON Semiconductor Trans GP BJT PNP 350V 0.5A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R

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ON Semiconductor NSVMMBT6520LT1G重要参数规格及、参数值，及相似型号如下：

参数名

参数值

全选
参数名

参数值

全选
生命周期状态

ACTIVE (Last Updated: 2 days ago)
工厂交货时间

8 Weeks
底架

表面贴装
安装类型

表面贴装
包装/外壳

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
引脚数

3
晶体管元件材料

SILICON
Collector-Emitter Breakdown Voltage

350V
Current-Collector (Ic) (Max)

500mA
Number of Elements

1
hFEMin

30
操作温度

-55°C~150°C TJ
包装

Tape & Reel (TR)
已出版

2006
JESD-609代码

e3
无铅代码

yes
零件状态

活跃
湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)
终止次数

3
端子表面处理

Tin (Sn)
最大功率耗散

225mW
端子位置

DUAL
终端形式

鸥翼
频率

200MHz
元素配置

Single
功率耗散

300mW
极性/通道类型

PNP
晶体管类型

PNP
集电极发射器电压(VCEO)

350V
最大集电极电流

500mA
最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

20 @ 50mA 10V
最大集极截止电流

50nA ICBO
不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

1V @ 5mA, 50mA
转换频率

40MHz
集电极基极电压(VCBO)

350V
发射极基极电压 (VEBO)

5V
辐射硬化

无
RoHS状态

ROHS3 Compliant
无铅

无铅

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NSVMMBT6520LT1G拓展信息

热销零件