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NSVT45010MW6T1G备选型号: BC857CT-7-F
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- JESD-609代码
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- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- ECCN 代码
- 端子表面处理
- 最大功率耗散
- 终端形式
- 参考标准
- 配置
- 功率 - 最大
- 晶体管应用
- 极性/通道类型
- 晶体管类型
- 集电极发射器电压(VCEO)
- 最大集电极电流
- 最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce
- 最大集极截止电流
- 不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）
- 转换频率
- 频率转换
- 集电极基极电压(VCBO)
- 辐射硬化
- RoHS状态
- 无铅
- 触点镀层
- 质量
- Collector-Emitter Saturation Voltage
- 附加功能
- 端子位置
- 峰值回流焊温度（摄氏度）
- Reach合规守则
- 频率
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 基本部件号
- 引脚数量
- 资历状况
- 元素配置
- 功率耗散
- 增益带宽积
- 最大击穿电压
- 发射极基极电压 (VEBO)
- 高度
- 长度
- 宽度
- 达到SVHC
Trans GP BJT PNP 45V 0.1A 6-Pin SOT-363 T/RACTIVE (Last Updated: 3 days ago)8 Weeks表面贴装表面贴装6-TSSOP, SC-88, SOT-3636SILICON45V-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)2011e3yes活跃1 (Unlimited)6EAR99Tin (Sn)380mW鸥翼AEC-Q101SEPARATE, 2 ELEMENTS380mWAMPLIFIERPNP2 PNP (Dual)650mV100mA220 @ 2mA 5V15nA ICBO650mV @ 5mA, 100mA100MHz100MHz50V无ROHS3 Compliant无铅---------------------
DIODES INC. - BC857CT-7-F - Bipolar (BJT) Single Transistor, PNP, -45 V, 100 MHz, 150 mW, -100 mA, 520 hFE-18 Weeks表面贴装表面贴装SOT-5233SILICON45V-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)2007e3yes活跃1 (Unlimited)3EAR99-150mW鸥翼----PNPPNP45V100mA420 @ 2mA 5V15nA ICBO650mV @ 5mA, 100mA100MHz-50V-ROHS3 Compliant无铅Tin2.012816mg-650mVHIGH RELIABILITYDUAL260not_compliant100MHz40BC857CT3不合格Single150mW100MHz45V5V750μm1.6mm800μm无SVHC- 添加型号
| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| BC857BT-7-F | Diodes Incorporated | 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个 | SOT-523 | In a Pack of 200, Diodes Inc BC857BT-7-F PNP Transistor, 100 mA, 45 V, 3-Pin SOT-523 | 对比 |
 | BC847BS-7-F | Diodes Incorporated | 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 阵列 | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | TRANSISTOR, NPN/NPN, SOT363 | 对比 |
| BC857CT-7-F | Diodes Incorporated | 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个 | SOT-523 | DIODES INC. - BC857CT-7-F - Bipolar (BJT) Single Transistor, PNP, -45 V, 100 MHz, 150 mW, -100 mA, 520 hFE | 对比 |
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