NSVTB60BDW1T1G备选型号: UMT2NTR
- 隐藏公共属性
- 型号:
- 品牌:
- 描述:
- 生命周期状态
- 工厂交货时间
- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 包装
- 系列
- 已出版
- JESD-609代码
- 无铅代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- ECCN 代码
- 端子表面处理
- 最大功率耗散
- 功率 - 最大
- 晶体管类型
- 集电极发射器电压(VCEO)
- 最大集电极电流
- 最小直流增益(hFE)@ Ic, Vce
- 最大集极截止电流
- 不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度(最大值)
- 电阻基(R1)
- 电阻-发射极基极(R2)
- RoHS状态
- 无铅
- 引脚数
- 晶体管元件材料
- Collector-Emitter Saturation Voltage
- 操作温度
- 终止次数
- 终端
- HTS代码
- 电压 - 额定直流
- 终端形式
- 峰值回流焊温度(摄氏度)
- 额定电流
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 基本部件号
- 引脚数量
- 极性
- 元素配置
- 功率耗散
- 晶体管应用
- 增益带宽积
- 最高频率
- 转换频率
- 最大击穿电压
- 集电极基极电压(VCBO)
- 发射极基极电压 (VEBO)
- 连续集电极电流
- VCEsat-最大值
- 高度
- 长度
- 宽度
- 达到SVHC
- 辐射硬化
- TRANS NPN/PNP COMBO SC88-6ACTIVE (Last Updated: 2 weeks ago)8 Weeks表面贴装表面贴装6-TSSOP, SC-88, SOT-36350VTape & Reel (TR)Automotive, AEC-Q1012002e3yes活跃1 (Unlimited)EAR99Tin (Sn)250mW250mW1 NPN Pre-Biased, 1 PNP250mV150mA80 @ 5mA 10V / 120 @ 5mA 10V500nA250mV @ 5mA, 10mA / 500mV @ 5mA, 50mA22k Ω47k ΩROHS3 Compliant无铅-------------------------------
- TRANS 2PNP 50V 0.15A 6UMT--表面贴装表面贴装6-TSSOP, SC-88, SOT-36350VTape & Reel (TR)-2004e2yes不用于新设计1 (Unlimited)EAR99Tin/Copper (Sn/Cu)150mW-2 PNP (Dual)50V150mA120 @ 1mA 6V100nA ICBO500mV @ 5mA, 50mA--ROHS3 Compliant无铅6SILICON-500mV150°C TJ6SMD/SMT8541.21.00.75-50V鸥翼260-150mA10MT26PNPDual150mWAMPLIFIER140MHz100MHz140MHz50V60V-6V-150mA0.5 V900μm2mm1.25mm无SVHC无
- 添加型号
| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| HN2A01FU-Y(TE85L,F | Toshiba Semiconductor and Storage | 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 阵列 | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | TRANS 2PNP 50V 0.15A US6 | 对比 | |
| UMZ1NTR | ROHM Semiconductor | 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 阵列 | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | TRANS NPN/PNP 50V 0.15A 6UMT | 对比 | |
| UMT2NTR | ROHM Semiconductor | 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 阵列 | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | TRANS 2PNP 50V 0.15A 6UMT | 对比 |


哦! 它是空的。