注：图像仅供参考，请参阅产品规格

技术文档

PDF文档列表

价格梯度

内地含税价

1

￥5.848786
10

￥5.51772
100

￥5.205401
500

￥4.910751
1000

￥4.632783

ON Semiconductor NSVTB60BDW1T1G

Name: NSVTB60BDW1T1G
Brand: ON Semiconductor
SKU: 1807-NSVTB60BDW1T1G
Price: 5.85 USD
Availability: InStock
Rating: 5 (1 reviews)

收藏
对比

型号

NSVTB60BDW1T1G

品牌

ON Semiconductor

utmel 编号

1807-NSVTB60BDW1T1G

商品类别

晶体管 - 双极（BJT）- 阵列 - 预偏置

封装

6-TSSOP, SC-88, SOT-363

交货地

大陆

交期（工作日）

立即发货

ROHS

ECAD

简介

TRANS NPN/PNP COMBO SC88-6

起订量

--最小包装量--

单价:

￥

总价: ￥

添加到询价列表

NSVTB60BDW1T1G ON Semiconductor TRANS NPN/PNP COMBO SC88-6

单价: $

合计: ￥

库存:24000

请发送询价，我们将立即回复。

* 联系人姓名

* 电话

* 邮箱

* 公司名称

* 数量

在线咨询

NSVTB60BDW1T1G详情

技术参数

PDF文档

型号对比

ON Semiconductor NSVTB60BDW1T1G重要参数规格及、参数值，及相似型号如下：

参数名

参数值

全选
参数名

参数值

全选
生命周期状态

ACTIVE (Last Updated: 2 weeks ago)
工厂交货时间

8 Weeks
底架

表面贴装
安装类型

表面贴装
包装/外壳

6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Collector-Emitter Breakdown Voltage

50V
包装

Tape & Reel (TR)
系列

Automotive, AEC-Q101
已出版

2002
JESD-609代码

e3
无铅代码

yes
零件状态

活跃
湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)
ECCN 代码

EAR99
端子表面处理

Tin (Sn)
最大功率耗散

250mW
功率 - 最大

250mW
晶体管类型

1 NPN Pre-Biased, 1 PNP
集电极发射器电压(VCEO)

250mV
最大集电极电流

150mA
最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

80 @ 5mA 10V / 120 @ 5mA 10V
最大集极截止电流

500nA
不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

250mV @ 5mA, 10mA / 500mV @ 5mA, 50mA
电阻基(R1)

22k Ω
电阻-发射极基极(R2)

47k Ω
RoHS状态

ROHS3 Compliant
无铅

无铅

0个相似型号

NSVTB60BDW1T1G拓展信息

热销零件