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首页 全部分类 NTA4151PT1G vs FDY302NZ

NTA4151PT1G备选型号: FDY302NZ

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  • 晶体管元件材料
  • 操作温度
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  • 零件状态
  • 湿度敏感性等级(MSL)
  • 终止次数
  • ECCN 代码
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  • 端子表面处理
  • 电压 - 额定直流
  • 端子位置
  • 终端形式
  • 峰值回流焊温度（摄氏度）
  • 额定电流
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • 引脚数量
  • 元素配置
  • 操作模式
  • 功率耗散
  • 接通延迟时间
  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 上升时间
  • 漏源电压 (Vdss)
  • Vgs（最大值）
  • 下降时间（典型值）
  • 连续放电电流(ID)
  • 阈值电压
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 最大漏极电流 (Abs) (ID)
  • 漏源击穿电压
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 触点镀层
  • 底架
  • 质量
  • 系列
  • ON Semiconductor
    NTA4151PT1G
    ON Semiconductor
    MOSFET P-CH 20V 0.76A SOT-416
    ACTIVE (Last Updated: 4 days ago)
    6 Weeks
    表面贴装
    SC-75, SOT-416
    YES
    3
    SILICON
    760mA Tj
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2005
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    260mOhm
    Tin (Sn)
    -20V
    DUAL
    鸥翼
    260
    -760mA
    40
    3
    Single
    增强型MOSFET
    301mW
    8 ns
    P-Channel
    SWITCHING
    360m Ω @ 350mA, 4.5V
    450mV @ 250μA
    156pF @ 5V
    2.1nC @ 4.5V
    8.2ns
    20V
    ±6V
    8.2 ns
    760mA
    -450mV
    6V
    0.76A
    -20V
    800μm
    1.65mm
    900μm
    无SVHC
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    FDY302NZ
    ON Semiconductor
    MOSFET 20V Sgl N-Ch 2.5V Spec PwrTrench
    ACTIVE (Last Updated: 1 day ago)
    8 Weeks
    表面贴装
    SC-89, SOT-490
    -
    3
    SILICON
    600mA Ta
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2017
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    -
    -
    -
    DUAL
    FLAT
    -
    -
    -
    -
    Single
    增强型MOSFET
    625mW
    6 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    300m Ω @ 600mA, 4.5V
    1.5V @ 250μA
    60pF @ 10V
    1.1nC @ 4.5V
    8ns
    -
    ±12V
    2.4 ns
    600mA
    -
    12V
    0.6A
    20V
    780μm
    1.7mm
    980μm
    -
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    Tin
    表面贴装
    30mg
    PowerTrench®
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