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NTB13N10G备选型号: FQB10N20CTM
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- 描述:
- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 晶体管元件材料
- 操作温度
- 包装
- 已出版
- JESD-609代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- 端子表面处理
- HTS代码
- 电压 - 额定直流
- 终端形式
- 峰值回流焊温度（摄氏度）
- 额定电流
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 引脚数量
- JESD-30代码
- 资历状况
- 元素配置
- 操作模式
- 功率耗散
- 箱体转运
- 场效应管类型
- 晶体管应用
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- Vgs（最大值）
- 下降时间（典型值）
- 连续放电电流(ID)
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 漏极-源极导通最大电阻
- 漏源击穿电压
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
- 雪崩能量等级（Eas）
- RoHS状态
- 无铅
- 引脚数
- 供应商器件包装
- 系列
- 最高工作温度
- 最小工作温度
- 漏源电压 (Vdss)
- 输入电容
- 漏源电阻
- 最大rds
MOSFET N-CH 100V 13A D2PAK表面贴装表面贴装TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263ABSILICON13A Ta-55°C~175°C TJTube2005e3Obsolete1 (Unlimited)2Tin (Sn)8541.29.00.95100V鸥翼26013A303R-PSSO-G2不合格Single增强型MOSFET64.7WDRAINN-ChannelSWITCHING165m Ω @ 6.5A, 10V4V @ 250μA550pF @ 25V20nC @ 10V40ns±20V36 ns13A20V0.165Ohm100V39A85 mJ符合RoHS标准无铅---------
MOSFET N-CH 200V 9.5A D2PAK表面贴装表面贴装TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB-9.5A Tc-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)2003-Obsolete1 (Unlimited)---200V--9.5A----Single-72W-N-Channel-360mOhm @ 4.75A, 10V4V @ 250μA510pF @ 25V26nC @ 10V92ns±30V72 ns9.5A30V-200V--符合RoHS标准无铅3D2PAK (TO-263AB)QFET®150°C-55°C200V510pF290mOhm360 mΩ- 添加型号
| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| NTB18N06T4 | ON Semiconductor | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | MOSFET N-CH 60V 15A D2PAK | 对比 |
| FQB10N20CTM | ON Semiconductor | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | MOSFET N-CH 200V 9.5A D2PAK | 对比 |
 | NTB75N03RG | ON Semiconductor | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | MOSFET N-CH 25V 9.7A D2PAK | 对比 |
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