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NTB25P06备选型号: NTB30N06G
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- 描述:
- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 晶体管元件材料
- 操作温度
- 包装
- 已出版
- JESD-609代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- 端子表面处理
- HTS代码
- 电压 - 额定直流
- 终端形式
- 峰值回流焊温度（摄氏度）
- Reach合规守则
- 额定电流
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 引脚数量
- JESD-30代码
- 资历状况
- 元素配置
- 操作模式
- 功率耗散
- 箱体转运
- 场效应管类型
- 晶体管应用
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- Vgs（最大值）
- 极性/通道类型
- 下降时间（典型值）
- 连续放电电流(ID)
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 最大漏极电流 (Abs) (ID)
- 漏极-源极导通最大电阻
- 漏源击穿电压
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
- 雪崩能量等级（Eas）
- RoHS状态
- 无铅
MOSFET P-CH 60V 27.5A D2PAK表面贴装表面贴装TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263ABSILICON27.5A Ta-55°C~175°C TJTube2006e0Obsolete1 (Unlimited)2Tin/Lead (Sn/Pb)8541.29.00.9560V鸥翼225not_compliant27.5A303R-PSSO-G2不合格Single增强型MOSFET120WDRAINP-ChannelSWITCHING82m Ω @ 25A, 10V4V @ 250μA1680pF @ 25V50nC @ 10V72ns±15VN-CHANNEL190 ns27.5A15V25A0.082Ohm-60V80A600 mJNon-RoHS Compliant含铅- MOSFET N-CH 60V 27A D2PAK表面贴装表面贴装TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263ABSILICON27A Ta-55°C~175°C TJTube2005e3Obsolete1 (Unlimited)2Tin (Sn)8541.29.00.9560V鸥翼260-27A403R-PSSO-G2不合格Single增强型MOSFET88.2WDRAINN-ChannelSWITCHING42m Ω @ 15A, 10V4V @ 250μA1200pF @ 25V46nC @ 10V36ns±20V-31 ns27A20V-0.042Ohm60V80A101 mJ符合RoHS标准无铅
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
 | STB16NF06LT4 | STMicroelectronics | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | Trans MOSFET N-CH 60V 16A 3-Pin(2 Tab) D2PAK T/R | 对比 |
| NTB30N06G | ON Semiconductor | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | MOSFET N-CH 60V 27A D2PAK | 对比 |
 | IRF5305STRLPBF | Infineon Technologies | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | Single P-Channel 55 V 60 mOhm 42 nC HEXFET® Power Mosfet - D2PAK | 对比 |
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