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NTB75N03RG备选型号: IRL3714ZSPBF
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- 型号:
- 品牌:
- 描述:
- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 晶体管元件材料
- 操作温度
- 包装
- 已出版
- JESD-609代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- 端子表面处理
- HTS代码
- 电压 - 额定直流
- 终端形式
- 峰值回流焊温度（摄氏度）
- 额定电流
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 引脚数量
- JESD-30代码
- 资历状况
- 元素配置
- 操作模式
- 功率耗散
- 箱体转运
- 场效应管类型
- 晶体管应用
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- Vgs（最大值）
- 连续放电电流(ID)
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 最大漏极电流 (Abs) (ID)
- 漏极-源极导通最大电阻
- 漏源击穿电压
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
- 雪崩能量等级（Eas）
- RoHS状态
- 无铅
- 引脚数
- 供应商器件包装
- 系列
- 电阻
- 最高工作温度
- 最小工作温度
- 接通延迟时间
- 上升时间
- 漏源电压 (Vdss)
- 下降时间（典型值）
- 阈值电压
- 双电源电压
- 输入电容
- 恢复时间
- 漏源电阻
- 最大rds
- 栅源电压
- 高度
- 长度
- 宽度
- 辐射硬化
- 达到SVHC
MOSFET N-CH 25V 9.7A D2PAK表面贴装表面贴装TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263ABSILICON9.7A Ta 75A Tc-55°C~150°C TJTube2006e3Obsolete1 (Unlimited)2Tin (Sn)8541.29.00.9525V鸥翼26075A未说明3R-PSSO-G2不合格Single增强型MOSFET74.4WDRAINN-ChannelSWITCHING8m Ω @ 20A, 10V2V @ 250μA1333pF @ 20V13.2nC @ 10V±20V75A20V9.7A0.013Ohm25V225A71.7 mJ符合RoHS标准无铅----------------------
MOSFET N-CH 20V 36A D2PAK表面贴装表面贴装TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB-36A Tc-55°C~175°C TJTube2003-Obsolete1 (Unlimited)---20V--36A----Single-35W-N-Channel-16mOhm @ 15A, 10V2.55V @ 250μA550pF @ 10V7.2nC @ 4.5V±20V36A20V--20V--符合RoHS标准无铅3D2PAKHEXFET®16mOhm175°C-55°C6 ns13ns20V5 ns2.1V20V550pF12 ns16mOhm16 mΩ2.1 V4.699mm10.668mm9.65mm无无SVHC- 添加型号
| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| NTB4302G | ON Semiconductor | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | MOSFET N-CH 30V 74A D2PAK | 对比 |
| IRL3714ZSPBF | Infineon Technologies | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | MOSFET N-CH 20V 36A D2PAK | 对比 |
| NTB65N02RT4G | ON Semiconductor | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | MOSFET N-CH 25V 7.6A D2PAK | 对比 |
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