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NTB90N02T4G备选型号: IRF3709ZSTRRPBF
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- 晶体管元件材料
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- 包装
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- JESD-609代码
- 无铅代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- ECCN 代码
- 端子表面处理
- HTS代码
- 电压 - 额定直流
- 终端形式
- 峰值回流焊温度（摄氏度）
- 额定电流
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 引脚数量
- JESD-30代码
- 资历状况
- 元素配置
- 操作模式
- 功率耗散
- 箱体转运
- 场效应管类型
- 晶体管应用
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- Vgs（最大值）
- 下降时间（典型值）
- 连续放电电流(ID)
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 漏极-源极导通最大电阻
- 漏源击穿电压
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
- RoHS状态
- 无铅
- 工厂交货时间
- 系列
- 电阻
- 端子位置
- 配置
- 接通延迟时间
- 最大漏极电流 (Abs) (ID)
- 雪崩能量等级（Eas）
- 高度
- 长度
- 宽度
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MOSFET N-CH 24V 90A D2PAKOBSOLETE (Last Updated: 1 day ago)表面贴装表面贴装TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB3SILICON90A Ta-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)2005e3yesObsolete1 (Unlimited)2EAR99Tin (Sn)8541.29.00.9524V鸥翼未说明90A未说明3R-PSSO-G2不合格Single增强型MOSFET85WDRAINN-ChannelSWITCHING5.8m Ω @ 90A, 10V3V @ 250μA2120pF @ 20V29nC @ 4.5V90ns±20V60 ns90A20V0.0058Ohm24V200A符合RoHS标准无铅------------- MOSFET N-CH 30V 87A D2PAK-表面贴装表面贴装TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB3SILICON87A Tc-55°C~175°C TJTape & Reel (TR)2001e3-活跃1 (Unlimited)2EAR99Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier--鸥翼260-30-R-PSSO-G2--增强型MOSFET79WDRAINN-ChannelSWITCHING6.3m Ω @ 21A, 10V2.25V @ 250μA2130pF @ 15V26nC @ 4.5V41ns±20V4.7 ns87A20V-30V-ROHS3 Compliant无铅12 WeeksHEXFET®6.3MOhmSINGLESINGLE WITH BUILT-IN DIODE13 ns42A60 mJ4.826mm10.668mm9.65mm无
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| NTB4302T4 | ON Semiconductor | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | MOSFET N-CH 30V 74A D2PAK | 对比 |
| IRF3709ZSTRRPBF | Infineon Technologies | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | MOSFET N-CH 30V 87A D2PAK | 对比 |
 | NTB75N03RG | ON Semiconductor | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | MOSFET N-CH 25V 9.7A D2PAK | 对比 |
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