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NTB90N02T4G备选型号: NTB75N03RG
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- 描述:
- 生命周期状态
- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 引脚数
- 晶体管元件材料
- 操作温度
- 包装
- 已出版
- JESD-609代码
- 无铅代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- ECCN 代码
- 端子表面处理
- HTS代码
- 电压 - 额定直流
- 终端形式
- 峰值回流焊温度（摄氏度）
- 额定电流
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 引脚数量
- JESD-30代码
- 资历状况
- 元素配置
- 操作模式
- 功率耗散
- 箱体转运
- 场效应管类型
- 晶体管应用
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- Vgs（最大值）
- 下降时间（典型值）
- 连续放电电流(ID)
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 漏极-源极导通最大电阻
- 漏源击穿电压
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
- RoHS状态
- 无铅
- 最大漏极电流 (Abs) (ID)
- 雪崩能量等级（Eas）
MOSFET N-CH 24V 90A D2PAKOBSOLETE (Last Updated: 1 day ago)表面贴装表面贴装TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB3SILICON90A Ta-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)2005e3yesObsolete1 (Unlimited)2EAR99Tin (Sn)8541.29.00.9524V鸥翼未说明90A未说明3R-PSSO-G2不合格Single增强型MOSFET85WDRAINN-ChannelSWITCHING5.8m Ω @ 90A, 10V3V @ 250μA2120pF @ 20V29nC @ 4.5V90ns±20V60 ns90A20V0.0058Ohm24V200A符合RoHS标准无铅--
MOSFET N-CH 25V 9.7A D2PAK-表面贴装表面贴装TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB-SILICON9.7A Ta 75A Tc-55°C~150°C TJTube2006e3-Obsolete1 (Unlimited)2-Tin (Sn)8541.29.00.9525V鸥翼26075A未说明3R-PSSO-G2不合格Single增强型MOSFET74.4WDRAINN-ChannelSWITCHING8m Ω @ 20A, 10V2V @ 250μA1333pF @ 20V13.2nC @ 10V-±20V-75A20V0.013Ohm25V225A符合RoHS标准无铅9.7A71.7 mJ- 添加型号
| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| NTB4302T4 | ON Semiconductor | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | MOSFET N-CH 30V 74A D2PAK | 对比 |
| IRF3709ZSTRRPBF | Infineon Technologies | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | MOSFET N-CH 30V 87A D2PAK | 对比 |
| NTB75N03RG | ON Semiconductor | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | MOSFET N-CH 25V 9.7A D2PAK | 对比 |
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