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首页 全部分类 NTD110N02R vs IRLR7833TRPBF

NTD110N02R备选型号: IRLR7833TRPBF

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  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
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  • 上升时间
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  • 终端
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  • 接通延迟时间
  • 阈值电压
  • JEDEC-95代码
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
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  • 栅源电压
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • ON Semiconductor
    NTD110N02R
    ON Semiconductor
    MOSFET N-CH 24V 12.5A DPAK
    表面贴装
    表面贴装
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
    SILICON
    12.5A Ta 110A Tc
    -55°C~175°C TJ
    Tube
    2009
    e0
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    2
    Tin/Lead (Sn/Pb)
    8541.29.00.95
    24V
    鸥翼
    235
    not_compliant
    110A
    未说明
    3
    R-PSSO-G2
    不合格
    Single
    增强型MOSFET
    2.88W
    DRAIN
    N-Channel
    SWITCHING
    4.6m Ω @ 20A, 10V
    2V @ 250μA
    3440pF @ 20V
    28nC @ 4.5V
    39ns
    ±20V
    21 ns
    110A
    20V
    12.5A
    0.0062Ohm
    24V
    120 mJ
    Non-RoHS Compliant
    含铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    IRLR7833TRPBF
    Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 30V 140A DPAK
    表面贴装
    表面贴装
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
    SILICON
    140A Tc
    -55°C~175°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2004
    e3
    活跃
    1 (Unlimited)
    2
    -
    -
    30V
    鸥翼
    260
    -
    98A
    30
    -
    R-PSSO-G2
    -
    Single
    增强型MOSFET
    140W
    DRAIN
    N-Channel
    SWITCHING
    4.5m Ω @ 15A, 10V
    2.3V @ 250μA
    4010pF @ 15V
    50nC @ 4.5V
    6.9ns
    ±20V
    15 ns
    140A
    20V
    -
    -
    30V
    -
    ROHS3 Compliant
    Contains Lead, Lead Free
    12 Weeks
    Tin
    3
    HEXFET®
    SMD/SMT
    EAR99
    4.5MOhm
    14 ns
    2.3V
    TO-252AA
    560A
    30V
    2.3 V
    2.3876mm
    6.7056mm
    6.22mm
    无SVHC
    无
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