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首页 全部分类 NTD110N02R vs NTD4855NT4G

NTD110N02R备选型号: NTD4855NT4G

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  • 端子表面处理
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  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • 引脚数量
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  • 箱体转运
  • 场效应管类型
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  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
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  • 下降时间（典型值）
  • 连续放电电流(ID)
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 最大漏极电流 (Abs) (ID)
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • 漏源击穿电压
  • 雪崩能量等级（Eas）
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 生命周期状态
  • 引脚数
  • 无铅代码
  • ECCN 代码
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • ON Semiconductor
    NTD110N02R
    ON Semiconductor
    MOSFET N-CH 24V 12.5A DPAK
    表面贴装
    表面贴装
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
    SILICON
    12.5A Ta 110A Tc
    -55°C~175°C TJ
    Tube
    2009
    e0
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    2
    Tin/Lead (Sn/Pb)
    8541.29.00.95
    24V
    鸥翼
    235
    not_compliant
    110A
    未说明
    3
    R-PSSO-G2
    不合格
    Single
    增强型MOSFET
    2.88W
    DRAIN
    N-Channel
    SWITCHING
    4.6m Ω @ 20A, 10V
    2V @ 250μA
    3440pF @ 20V
    28nC @ 4.5V
    39ns
    ±20V
    21 ns
    110A
    20V
    12.5A
    0.0062Ohm
    24V
    120 mJ
    Non-RoHS Compliant
    含铅
    -
    -
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    NTD4855NT4G
    ON Semiconductor
    MOSFET N-CH 25V 14A DPAK
    表面贴装
    表面贴装
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
    SILICON
    14A Ta 98A Tc
    -55°C~175°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2008
    e3
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    2
    Tin (Sn)
    -
    -
    鸥翼
    未说明
    -
    -
    未说明
    4
    R-PSSO-G2
    不合格
    Single
    增强型MOSFET
    2.24W
    DRAIN
    N-Channel
    SWITCHING
    4.3m Ω @ 30A, 10V
    2.5V @ 250μA
    2950pF @ 12V
    32.7nC @ 4.5V
    16.52ns
    ±20V
    4.35 ns
    17.7A
    20V
    98A
    0.006Ohm
    25V
    220 mJ
    符合RoHS标准
    无铅
    LAST SHIPMENTS (Last Updated: 4 days ago)
    4
    yes
    EAR99
    197A
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