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NTD3055L170T4G备选型号: STD10P6F6
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- 品牌:
- 描述:
- 生命周期状态
- 工厂交货时间
- 安装类型
- 包装/外壳
- 表面安装
- 引脚数
- 晶体管元件材料
- 操作温度
- 包装
- 已出版
- JESD-609代码
- 无铅代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- ECCN 代码
- 电阻
- 端子表面处理
- 电压 - 额定直流
- 终端形式
- 额定电流
- 引脚数量
- JESD-30代码
- 元素配置
- 操作模式
- 功率耗散
- 箱体转运
- 接通延迟时间
- 场效应管类型
- 晶体管应用
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- Vgs（最大值）
- 下降时间（典型值）
- 连续放电电流(ID)
- 阈值电压
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 最大漏极电流 (Abs) (ID)
- 漏源击穿电压
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
- 高度
- 长度
- 宽度
- 达到SVHC
- 辐射硬化
- RoHS状态
- 无铅
- 底架
- 系列
- 基本部件号
- 雪崩能量等级（Eas）
MOSFET N-CH 60V 9A DPAKACTIVE (Last Updated: 2 days ago)2 Weeks表面贴装TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63YES3SILICON9A Ta-55°C~175°C TJTape & Reel (TR)2005e3yes活跃1 (Unlimited)2EAR99170MOhmTin (Sn)60V鸥翼9A3R-PSSO-G2Single增强型MOSFET28.5WDRAIN9.7 nsN-ChannelSWITCHING170m Ω @ 4.5A, 5V2V @ 250μA275pF @ 25V10nC @ 5V69ns±15V38 ns9A1.7V15V9A60V27A2.38mm6.73mm6.22mm无SVHC无ROHS3 Compliant无铅----
MOSFET P CH 60V 10A DPAKACTIVE (Last Updated: 8 months ago)-表面贴装TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63-3SILICON10A Tc175°C TJTape & Reel (TR)---活跃1 (Unlimited)2EAR99180MOhm--鸥翼--R-PSSO-G2Single增强型MOSFET35WDRAIN-P-ChannelSWITCHING160m Ω @ 5A, 10V4V @ 250μA340pF @ 48V6.4nC @ 10V7ns±20V10 ns10A-4V20V-60V40A---无SVHC无ROHS3 Compliant无铅表面贴装DeepGATE™, STripFET™ VISTD1080 mJ- 添加型号
| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
 | NTD3055-150-1G | ON Semiconductor | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA | MOSFET N-CH 60V 9A IPAK | 对比 |
| NVD3055L170T4G | ON Semiconductor | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | MOSFET NFET DPAK 60V 9A 170MOHM | 对比 |
| NTD3055-150T4 | ON Semiconductor | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | MOSFET N-CH 60V 9A DPAK | 对比 |
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