STMicroelectronics STD10P6F6

生命周期状态

ACTIVE (Last Updated: 8 months ago)

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

引脚数

3

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

10A Tc

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

35W Tc

Turn Off Delay Time

16.5 ns

操作温度

175°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

系列

DeepGATE™, STripFET™ VI

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

2

ECCN 代码

EAR99

电阻

180MOhm

终端形式

鸥翼

基本部件号

STD10

JESD-30代码

R-PSSO-G2

元素配置

Single

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

35W

箱体转运

DRAIN

场效应管类型

P-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

160m Ω @ 5A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

4V @ 250μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

340pF @ 48V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

6.4nC @ 10V

上升时间

7ns

Vgs（最大值）

±20V

下降时间（典型值）

10 ns

连续放电电流(ID)

10A

阈值电压

-4V

栅极至源极电压(Vgs)

20V

漏源击穿电压

60V

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

40A

雪崩能量等级（Eas）

80 mJ

达到SVHC

无SVHC

辐射硬化

无

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅