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NTD40N03RT4备选型号: IRFR3707PBF
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- 描述:
- 包装/外壳
- 安装类型
- 底架
- 晶体管元件材料
- 已出版
- 包装
- 操作温度
- JESD-609代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- 端子表面处理
- HTS代码
- 电压 - 额定直流
- 终端形式
- 峰值回流焊温度（摄氏度）
- Reach合规守则
- 额定电流
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 引脚数量
- JESD-30代码
- 资历状况
- 元素配置
- 操作模式
- 功率耗散
- 箱体转运
- 场效应管类型
- 晶体管应用
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- Vgs（最大值）
- 下降时间（典型值）
- 连续放电电流(ID)
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 漏极-源极导通最大电阻
- 漏源击穿电压
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
- RoHS状态
- 无铅
- 引脚数
- 供应商器件包装
- 系列
- 电阻
- 最高工作温度
- 最小工作温度
- 接通延迟时间
- 漏源电压 (Vdss)
- 输入电容
- 漏源电阻
- 最大rds
- 辐射硬化
MOSFET N-CH 25V 7.8A DPAKTO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63表面贴装表面贴装SILICON7.8A Ta 32A Tc2005Tape & Reel (TR)-55°C~175°C TJe0Obsolete1 (Unlimited)2Tin/Lead (Sn/Pb)8541.29.00.9525V鸥翼240not_compliant23A303R-PSSO-G2不合格Single增强型MOSFET2.1WDRAINN-ChannelSWITCHING16.5m Ω @ 10A, 10V2V @ 250μA584pF @ 20V5.78nC @ 4.5V19.5ns±20V3.5 ns32A20V0.023Ohm25V100ANon-RoHS Compliant含铅------------
MOSFET N-CH 30V 61A DPAKTO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63表面贴装表面贴装-61A Tc2004Tube-55°C~175°C TJ-Obsolete1 (Unlimited)---30V---61A----Single-87W-N-Channel-13mOhm @ 15A, 10V3V @ 250μA1990pF @ 15V19nC @ 4.5V78ns±20V3.3 ns61A20V-30V-符合RoHS标准无铅3D-PakHEXFET®13MOhm175°C-55°C8.5 ns30V1.99nF17.5mOhm13 mΩ无- 添加型号
| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| NTD50N03RG | ON Semiconductor | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | MOSFET N-CH 25V 7.8A DPAK | 对比 |
| NTD50N03RT4 | ON Semiconductor | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | MOSFET N-CH 25V 7.8A DPAK | 对比 |
| IRFR3707PBF | Infineon Technologies | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | MOSFET N-CH 30V 61A DPAK | 对比 |
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