NTD40N03RT4备选型号: NTD50N03RT4

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  • 描述:
  • 包装/外壳
  • 安装类型
  • 底架
  • 晶体管元件材料
  • 已出版
  • 包装
  • 操作温度
  • JESD-609代码
  • 零件状态
  • 湿度敏感性等级(MSL)
  • 终止次数
  • 端子表面处理
  • HTS代码
  • 电压 - 额定直流
  • 终端形式
  • 峰值回流焊温度(摄氏度)
  • Reach合规守则
  • 额定电流
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • 引脚数量
  • JESD-30代码
  • 资历状况
  • 元素配置
  • 操作模式
  • 功率耗散
  • 箱体转运
  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 上升时间
  • Vgs(最大值)
  • 下降时间(典型值)
  • 连续放电电流(ID)
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • 漏源击穿电压
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • RoHS状态
  • 无铅
  • ECCN 代码
  • ON Semiconductor
    MOSFET N-CH 25V 7.8A DPAK
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
    表面贴装
    表面贴装
    SILICON
    7.8A Ta 32A Tc
    2005
    Tape & Reel (TR)
    -55°C~175°C TJ
    e0
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    2
    Tin/Lead (Sn/Pb)
    8541.29.00.95
    25V
    鸥翼
    240
    not_compliant
    23A
    30
    3
    R-PSSO-G2
    不合格
    Single
    增强型MOSFET
    2.1W
    DRAIN
    N-Channel
    SWITCHING
    16.5m Ω @ 10A, 10V
    2V @ 250μA
    584pF @ 20V
    5.78nC @ 4.5V
    19.5ns
    ±20V
    3.5 ns
    32A
    20V
    0.023Ohm
    25V
    100A
    Non-RoHS Compliant
    含铅
    -
  • ON Semiconductor
    MOSFET N-CH 25V 7.8A DPAK
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
    表面贴装
    表面贴装
    -
    7.8A Ta 45A Tc
    2007
    Tape & Reel (TR)
    -55°C~175°C TJ
    -
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    -
    -
    -
    25V
    -
    -
    not_compliant
    45A
    -
    3
    -
    -
    Single
    -
    50W
    -
    N-Channel
    -
    12m Ω @ 30A, 11.5V
    2V @ 250μA
    750pF @ 12V
    15nC @ 11.5V
    84ns
    ±20V
    4 ns
    45A
    20V
    -
    25V
    -
    Non-RoHS Compliant
    含铅
    EAR99
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