NTD4858NA-1G备选型号: NTD4857N-1G

  • 隐藏公共属性
  • 型号:
  • 品牌:
  • 描述:
  • 底架
  • 安装类型
  • 包装/外壳
  • 操作温度
  • 包装
  • 已出版
  • 零件状态
  • 湿度敏感性等级(MSL)
  • 场效应管类型
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 漏源电压 (Vdss)
  • 连续放电电流(ID)
  • RoHS状态
  • 生命周期状态
  • 引脚数
  • 无铅代码
  • ECCN 代码
  • 引脚数量
  • 元素配置
  • 功率耗散
  • 上升时间
  • Vgs(最大值)
  • 下降时间(典型值)
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏源击穿电压
  • 无铅
  • ON Semiconductor
    MOSFET N-CH 25V 11.2A IPAK
    通孔
    通孔
    TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
    11.2A Ta 73A Tc
    -55°C~175°C TJ
    Tube
    2007
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    N-Channel
    6.2m Ω @ 30A, 10V
    2.5V @ 250μA
    1563pF @ 12V
    19.2nC @ 4.5V
    25V
    13.6A
    符合RoHS标准
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    MOSFET N-CH 25V 12A IPAK
    通孔
    通孔
    TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
    12A Ta 78A Tc
    -55°C~175°C TJ
    Tube
    2007
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    N-Channel
    5.7m Ω @ 30A, 10V
    2.5V @ 250μA
    1960pF @ 12V
    24nC @ 4.5V
    -
    14.6A
    符合RoHS标准
    LAST SHIPMENTS (Last Updated: 4 days ago)
    4
    yes
    EAR99
    4
    Single
    2.1W
    18.7ns
    ±20V
    3.6 ns
    20V
    25V
    无铅
  • 添加型号
分立半导体产品相关产品
图片 产品型号 品牌 分类 封装 描述 对比
IRLU8726PBF IRLU8726PBF Infineon Technologies 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA MOSFET N-CH 30V 86A IPAK 对比
NTD4857N-1G NTD4857N-1G ON Semiconductor 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA MOSFET N-CH 25V 12A IPAK 对比
NTD78N03-35G NTD78N03-35G ON Semiconductor 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 TO-251-3 Stub Leads, IPak MOSFET N-CH 25V 11.4A IPAK 对比