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NTD4909N-35G备选型号: NTD4963N-35G
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- 生命周期状态
- 安装类型
- 包装/外壳
- 表面安装
- 引脚数
- 晶体管元件材料
- 操作温度
- 包装
- 已出版
- JESD-609代码
- 无铅代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- ECCN 代码
- 端子表面处理
- 引脚数量
- 元素配置
- 操作模式
- 箱体转运
- 场效应管类型
- 晶体管应用
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 漏源电压 (Vdss)
- Vgs（最大值）
- 连续放电电流(ID)
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 最大漏极电流 (Abs) (ID)
- 漏极-源极导通最大电阻
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
- 雪崩能量等级（Eas）
- 辐射硬化
- RoHS状态
- 无铅
- 电阻
- 功率耗散
- 接通延迟时间
- 上升时间
- 下降时间（典型值）
- 阈值电压
- 漏源击穿电压
- 高度
- 长度
- 宽度
- 达到SVHC
MOSFET N-CH 30V 41A SGL IPAKLAST SHIPMENTS (Last Updated: 1 week ago)通孔TO-251-3 Stub Leads, IPakNO3SILICON8.8A Ta 41A Tc-55°C~175°C TJTube2010e3yesObsolete1 (Unlimited)3EAR99Tin (Sn)3Single增强型MOSFETDRAINN-ChannelSWITCHING8m Ω @ 30A, 10V2.2V @ 250μA1314pF @ 15V17.5nC @ 10V30V±20V41A20V8.8A0.012Ohm167A28 mJ无符合RoHS标准无铅-----------
MOSFET N-CH 30V 8.1A IPAKLAST SHIPMENTS (Last Updated: 1 week ago)通孔TO-251-3 Stub Leads, IPakNO3SILICON8.1A Ta 44A Tc-55°C~175°C TJTube2008e3yesObsolete1 (Unlimited)3EAR99Tin (Sn)3Single增强型MOSFETDRAINN-ChannelSWITCHING9.6m Ω @ 30A, 10V2.5V @ 250μA1035pF @ 12V16.2nC @ 10V-±20V44A20V----无符合RoHS标准无铅9.6MOhm35.7W12 ns20ns3 ns1.45V30V6.35mm6.73mm2.38mm无SVHC- 添加型号
| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
 | NTD70N03R-001 | ON Semiconductor | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA | MOSFET N-CH 25V 10A IPAK | 对比 |
| NTD4963N-35G | ON Semiconductor | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-251-3 Stub Leads, IPak | MOSFET N-CH 30V 8.1A IPAK | 对比 |
 | IPS075N03LGAKMA1 | Infineon Technologies | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-251-3 Stub Leads, IPak | INFINEON IPS075N03L G MOSFET Transistor, N Channel, 50 A, 30 V, 6.3 mohm, 10 V, 1 V | 对比 |
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