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NTD4979N-35G备选型号: NTD4865N-1G
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- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- Reach合规守则
- 元素配置
- 操作模式
- 功率耗散
- 接通延迟时间
- 场效应管类型
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- Vgs（最大值）
- 下降时间（典型值）
- 连续放电电流(ID)
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 漏源击穿电压
- RoHS状态
- 无铅
- 生命周期状态
- 晶体管元件材料
- JESD-609代码
- 无铅代码
- 终止次数
- ECCN 代码
- 端子表面处理
- 峰值回流焊温度（摄氏度）
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 引脚数量
- JESD-30代码
- 资历状况
- 箱体转运
- 晶体管应用
- 最大漏极电流 (Abs) (ID)
- 漏极-源极导通最大电阻
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
- 雪崩能量等级（Eas）
MOSFET N-CH 30V 9.4A IPAK TRIMME2 Weeks通孔通孔TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA39.4A Ta 41A Tc-55°C~175°C TJTube2012活跃1 (Unlimited)not_compliantSingle增强型MOSFET2.56W10 nsN-Channel9m Ω @ 30A, 10V2.5V @ 250μA837pF @ 15V16.5nC @ 10V27ns±20V6.4 ns41A20V30VROHS3 Compliant无铅------------------- MOSFET N-CH 25V 8.5A IPAK-通孔通孔TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA48.5A Ta 44A Tc-55°C~175°C TJTube2009Obsolete1 (Unlimited)-Single增强型MOSFET1.92W-N-Channel10.9m Ω @ 30A, 10V2.5V @ 250μA827pF @ 12V10.8nC @ 4.5V19ns±20V19 ns44A20V25V符合RoHS标准无铅LAST SHIPMENTS (Last Updated: 1 week ago)SILICONe3yes3EAR99Tin (Sn)未说明未说明4R-PSIP-T3不合格DRAINSWITCHING8.5A0.0109Ohm87A50 mJ
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| NTD4865N-1G | ON Semiconductor | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA | MOSFET N-CH 25V 8.5A IPAK | 对比 |
 | NTD4865N-35G | ON Semiconductor | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-251-3 Stub Leads, IPak | MOSFET N-CH 25V 8.5A IPAK | 对比 |
 | IPS075N03LGAKMA1 | Infineon Technologies | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-251-3 Stub Leads, IPak | INFINEON IPS075N03L G MOSFET Transistor, N Channel, 50 A, 30 V, 6.3 mohm, 10 V, 1 V | 对比 |
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