NTD5407NG备选型号: FDD8878
- 隐藏公共属性
- 型号:
- 品牌:
- 描述:
- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 引脚数
- 晶体管元件材料
- 操作温度
- 包装
- 已出版
- JESD-609代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- ECCN 代码
- 端子表面处理
- 终端形式
- 峰值回流焊温度(摄氏度)
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- JESD-30代码
- 资历状况
- 元素配置
- 操作模式
- 功率耗散
- 箱体转运
- 场效应管类型
- 晶体管应用
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- Vgs(最大值)
- 下降时间(典型值)
- 连续放电电流(ID)
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 漏极-源极导通最大电阻
- 漏源击穿电压
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
- RoHS状态
- 生命周期状态
- 工厂交货时间
- 触点镀层
- 质量
- 系列
- 无铅代码
- 电压 - 额定直流
- 额定电流
- 接通延迟时间
- 阈值电压
- JEDEC-95代码
- 雪崩能量等级(Eas)
- 高度
- 长度
- 宽度
- 达到SVHC
- 辐射硬化
- 无铅
- MOSFET N-CH 40V 38A DPAK表面贴装表面贴装TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-633SILICON7.6A Ta 38A Tc-55°C~175°C TJTube2005e3Obsolete1 (Unlimited)2EAR99Tin (Sn)鸥翼未说明未说明R-PSSO-G2不合格Single增强型MOSFET75WDRAINN-ChannelSWITCHING26m Ω @ 20A, 10V3.5V @ 250μA1000pF @ 32V20nC @ 10V17ns±20V51 ns38A20V0.026Ohm40V75A符合RoHS标准------------------
- Trans MOSFET N-CH 30V 11A 3-Pin(2 Tab) DPAK T/R表面贴装表面贴装TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-633SILICON11A Ta 40A Tc-55°C~175°C TJTape & Reel (TR)2005e3活跃1 (Unlimited)2EAR99-鸥翼--R-PSSO-G2-Single增强型MOSFET40WDRAINN-ChannelSWITCHING15m Ω @ 35A, 10V2.5V @ 250μA880pF @ 15V26nC @ 10V79ns±20V27 ns40A20V-30V-ROHS3 CompliantACTIVE (Last Updated: 1 day ago)10 WeeksTin260.37mgPowerTrench®yes30V40A7 ns1.2VTO-252AA25 mJ2.39mm6.73mm6.22mm无SVHC无无铅
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | STD86N3LH5 | STMicroelectronics | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | Trans MOSFET N-CH 30V 80A 3-Pin(2 Tab) DPAK T/R | 对比 |
![]() | FDD8882 | ON Semiconductor | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | MOSFET 30V N-Channel PowerTrenchAr MOSFET | 对比 |
![]() | FDD8878 | ON Semiconductor | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | Trans MOSFET N-CH 30V 11A 3-Pin(2 Tab) DPAK T/R | 对比 |




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