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首页 全部分类 NTD5407NG vs STD86N3LH5

NTD5407NG备选型号: STD86N3LH5

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  • 底架
  • 安装类型
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  • 引脚数
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  • JESD-609代码
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  • 湿度敏感性等级(MSL)
  • 终止次数
  • ECCN 代码
  • 端子表面处理
  • 终端形式
  • 峰值回流焊温度（摄氏度）
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • JESD-30代码
  • 资历状况
  • 元素配置
  • 操作模式
  • 功率耗散
  • 箱体转运
  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 上升时间
  • Vgs（最大值）
  • 下降时间（典型值）
  • 连续放电电流(ID)
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • 漏源击穿电压
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • RoHS状态
  • 生命周期状态
  • 系列
  • 电阻
  • 基本部件号
  • 引脚数量
  • 接通延迟时间
  • 辐射硬化
  • 无铅
  • ON Semiconductor
    NTD5407NG
    ON Semiconductor
    MOSFET N-CH 40V 38A DPAK
    表面贴装
    表面贴装
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
    3
    SILICON
    7.6A Ta 38A Tc
    -55°C~175°C TJ
    Tube
    2005
    e3
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    2
    EAR99
    Tin (Sn)
    鸥翼
    未说明
    未说明
    R-PSSO-G2
    不合格
    Single
    增强型MOSFET
    75W
    DRAIN
    N-Channel
    SWITCHING
    26m Ω @ 20A, 10V
    3.5V @ 250μA
    1000pF @ 32V
    20nC @ 10V
    17ns
    ±20V
    51 ns
    38A
    20V
    0.026Ohm
    40V
    75A
    符合RoHS标准
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • STMicroelectronics
    STD86N3LH5
    STMicroelectronics
    Trans MOSFET N-CH 30V 80A 3-Pin(2 Tab) DPAK T/R
    表面贴装
    表面贴装
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
    3
    SILICON
    80A Tc
    175°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    -
    e3
    活跃
    1 (Unlimited)
    2
    EAR99
    Matte Tin (Sn) - annealed
    鸥翼
    260
    -
    R-PSSO-G2
    -
    Single
    增强型MOSFET
    70W
    DRAIN
    N-Channel
    SWITCHING
    5m Ω @ 40A, 10V
    2.5V @ 250μA
    1850pF @ 25V
    14nC @ 5V
    14ns
    ±20V
    10.8 ns
    80A
    22V
    -
    30V
    -
    ROHS3 Compliant
    ACTIVE (Last Updated: 7 months ago)
    Automotive, AEC-Q101, STripFET™ V
    5MOhm
    STD86
    3
    6 ns
    无
    无铅
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