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首页 全部分类 NTD5803NT4G vs STD80N4F6

NTD5803NT4G备选型号: STD80N4F6

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  • 湿度敏感性等级(MSL)
  • 终止次数
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  • 端子表面处理
  • 端子位置
  • 终端形式
  • 峰值回流焊温度（摄氏度）
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • 引脚数量
  • JESD-30代码
  • 资历状况
  • 元素配置
  • 操作模式
  • 功率耗散
  • 箱体转运
  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 上升时间
  • Vgs（最大值）
  • 下降时间（典型值）
  • 连续放电电流(ID)
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • 漏源击穿电压
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 底架
  • 系列
  • 电阻
  • 基本部件号
  • 接通延迟时间
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 辐射硬化
  • ON Semiconductor
    NTD5803NT4G
    ON Semiconductor
    MOSFET N-CH 40V 76A DPAK
    LAST SHIPMENTS (Last Updated: 1 week ago)
    表面贴装
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
    YES
    4
    SILICON
    76A Tc
    -55°C~175°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2008
    e3
    yes
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    2
    EAR99
    Tin (Sn)
    DUAL
    鸥翼
    未说明
    未说明
    4
    R-PDSO-G2
    不合格
    Single
    增强型MOSFET
    83W
    DRAIN
    N-Channel
    SWITCHING
    7.2m Ω @ 50A, 10V
    3.5V @ 250μA
    3220pF @ 25V
    51nC @ 10V
    21.4ns
    ±20V
    6.6 ns
    76A
    20V
    0.0072Ohm
    40V
    228A
    符合RoHS标准
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • STMicroelectronics
    STD80N4F6
    STMicroelectronics
    MOSFET N-Ch 40V 80A STripFET VI DeepGate
    ACTIVE (Last Updated: 8 months ago)
    表面贴装
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
    -
    3
    -
    80A Tc
    -55°C~175°C TJ
    Cut Tape (CT)
    -
    -
    -
    活跃
    1 (Unlimited)
    -
    EAR99
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    Single
    -
    70W
    -
    N-Channel
    -
    6m Ω @ 40A, 10V
    4V @ 250μA
    2150pF @ 25V
    36nC @ 10V
    7.6ns
    ±20V
    11.9 ns
    80A
    20V
    -
    40V
    -
    ROHS3 Compliant
    无铅
    表面贴装
    Automotive, AEC-Q101, DeepGATE™, STripFET™ VI
    6MOhm
    STD80
    10.5 ns
    2.4mm
    6.6mm
    6.2mm
    无
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