STMicroelectronics STD80N4F6
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STD80N4F6
2381-STD80N4F6
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
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MOSFET N-Ch 40V 80A STripFET VI DeepGate
--最小包装量--
STD80N4F6详情
STMicroelectronics STD80N4F6重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
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生命周期状态
ACTIVE (Last Updated: 8 months ago)
底架
表面贴装
安装类型
表面贴装
包装/外壳
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
引脚数
3
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
80A Tc
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Number of Elements
1
Power Dissipation (Max)
70W Tc
Turn Off Delay Time
46.1 ns
操作温度
-55°C~175°C TJ
包装
Cut Tape (CT)
系列
Automotive, AEC-Q101, DeepGATE™, STripFET™ VI
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
ECCN 代码
EAR99
电阻
6MOhm
基本部件号
STD80
元素配置
Single
功率耗散
70W
接通延迟时间
10.5 ns
场效应管类型
N-Channel
Rds On(Max)@Id,Vgs
6m Ω @ 40A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
4V @ 250μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
2150pF @ 25V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
36nC @ 10V
上升时间
7.6ns
Vgs(最大值)
±20V
下降时间(典型值)
11.9 ns
连续放电电流(ID)
80A
栅极至源极电压(Vgs)
20V
漏源击穿电压
40V
高度
2.4mm
长度
6.6mm
宽度
6.2mm
辐射硬化
无
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
无铅
STD80N4F6拓展信息
STMicroelectronics
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