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NTD6415ANLT4G备选型号: NVD6415ANLT4G
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- 描述:
- 生命周期状态
- 工厂交货时间
- 安装类型
- 包装/外壳
- 表面安装
- 引脚数
- 晶体管元件材料
- 操作温度
- 包装
- 已出版
- JESD-609代码
- 无铅代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- ECCN 代码
- 端子表面处理
- 端子位置
- 终端形式
- 引脚数量
- JESD-30代码
- 元素配置
- 操作模式
- 功率耗散
- 箱体转运
- 接通延迟时间
- 场效应管类型
- 晶体管应用
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- Vgs（最大值）
- 下降时间（典型值）
- 连续放电电流(ID)
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 漏极-源极导通最大电阻
- 漏源击穿电压
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
- 雪崩能量等级（Eas）
- 高度
- 长度
- 宽度
- 辐射硬化
- RoHS状态
- 无铅
- 漏源电压 (Vdss)
MOSFET 100V HD3E NCHACTIVE (Last Updated: 5 days ago)34 Weeks表面贴装TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63YES4SILICON23A Tc-55°C~175°C TJTape & Reel (TR)2010e3yes活跃1 (Unlimited)2EAR99Tin (Sn)DUAL鸥翼4R-PDSO-G2Single增强型MOSFET83WDRAIN11 nsN-ChannelSWITCHING52m Ω @ 10A, 10V2V @ 250μA1024pF @ 25V35nC @ 10V91ns±20V71 ns23A20V0.056Ohm100V80A79 mJ2.38mm6.73mm6.22mm无ROHS3 Compliant无铅-- MOSFET N-CH 100V 23A DPAK-4-12 Weeks表面贴装TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63YES3SILICON23A Tc-55°C~175°C TJTape & Reel (TR)2012e3yesObsolete1 (Unlimited)2EAR99Tin (Sn)-鸥翼3/2R-PSSO-G2Single增强型MOSFET83WDRAIN11 nsN-ChannelSWITCHING52m Ω @ 10A, 10V2V @ 250μA1024pF @ 25V20nC @ 4.5V91ns±20V71 ns23A20V0.056Ohm-80A79 mJ---无ROHS3 Compliant-100V
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| NVD6415ANT4G | ON Semiconductor | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | MOSFET N-CH 100V 23A DPAK | 对比 |
| NVD6415ANLT4G | ON Semiconductor | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | MOSFET N-CH 100V 23A DPAK-4 | 对比 |
 | STD26NF10 | STMicroelectronics | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | MOSFET N-CH 100V 25A DPAK | 对比 |
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