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首页 全部分类 NTD80N02T4 vs IRLR8726TRLPBF

NTD80N02T4备选型号: IRLR8726TRLPBF

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  • 触点镀层
  • 供应商器件包装
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  • 最小工作温度
  • 接通延迟时间
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  • 输入电容
  • 漏源电阻
  • 最大rds
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • ON Semiconductor
    NTD80N02T4
    ON Semiconductor
    MOSFET N-CH 24V 80A DPAK
    OBSOLETE (Last Updated: 2 days ago)
    表面贴装
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
    表面贴装
    4
    SILICON
    1
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2008
    e0
    yes
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    2
    Tin/Lead (Sn80Pb20)
    24V
    鸥翼
    240
    not_compliant
    80A
    30
    4
    R-PSSO-G2
    不合格
    Single
    增强型MOSFET
    75W
    DRAIN
    N-Channel
    SWITCHING
    5.8m Ω @ 80A, 10V
    3V @ 250μA
    2600pF @ 20V
    42nC @ 4.5V
    67ns
    ±20V
    40 ns
    80A
    20V
    0.0058Ohm
    24V
    200A
    733 mJ
    Non-RoHS Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    IRLR8726TRLPBF
    Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 30V 86A DPAK
    -
    表面贴装
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
    表面贴装
    3
    -
    86A Tc
    -55°C~175°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2005
    -
    -
    不用于新设计
    1 (Unlimited)
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    Single
    -
    75W
    -
    N-Channel
    -
    5.8mOhm @ 25A, 10V
    2.35V @ 50μA
    2150pF @ 15V
    23nC @ 4.5V
    49ns
    ±20V
    16 ns
    86A
    12V
    -
    30V
    -
    -
    ROHS3 Compliant
    -
    12 Weeks
    Tin
    D-Pak
    HEXFET®
    175°C
    -55°C
    12 ns
    30V
    2.15nF
    5.8mOhm
    5.8 mΩ
    2.26mm
    6.7056mm
    6.22mm
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