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NTF3055-160T1备选型号: PMT200EN,115
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- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 晶体管元件材料
- 操作温度
- 包装
- 已出版
- JESD-609代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- ECCN 代码
- 端子表面处理
- 电压 - 额定直流
- 端子位置
- 终端形式
- Reach合规守则
- 额定电流
- 引脚数量
- JESD-30代码
- 资历状况
- 配置
- 操作模式
- 箱体转运
- 场效应管类型
- 晶体管应用
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- Vgs（最大值）
- 连续放电电流(ID)
- 最大漏极电流 (Abs) (ID)
- 漏极-源极导通最大电阻
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
- 雪崩能量等级（Eas）
- RoHS状态
- 无铅
- 表面安装
- 漏源电压 (Vdss)
MOSFET N-CH 60V 2A SOT223表面贴装表面贴装TO-261-4, TO-261AASILICON2A Ta-55°C~175°C TJTape & Reel (TR)2004e0Obsolete1 (Unlimited)4EAR99Tin/Lead (Sn/Pb)60VDUAL鸥翼not_compliant2A4R-PDSO-G4不合格SINGLE WITH BUILT-IN DIODE增强型MOSFETDRAINN-ChannelSWITCHING160m Ω @ 1A, 10V4V @ 250μA280pF @ 25V14nC @ 10V9.2ns±20V2A2A0.16Ohm6A65 mJNon-RoHS Compliant含铅--
MOSFET N-CH 100V 1.8A SC-73-表面贴装TO-261-4, TO-261AA-1.8A Ta-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)2012e3Obsolete1 (Unlimited)--Tin (Sn)-----4--Single增强型MOSFET-N-Channel-235m Ω @ 1.5A, 10V2.5V @ 250μA475pF @ 80V10nC @ 10V-±20V-1.8A---ROHS3 Compliant-YES100V- 添加型号
| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
 | BCP56-10TX | Nexperia USA Inc. | 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个 | TO-261-4, TO-261AA | TRANS NPN 80V 1A SOT223 | 对比 |
| PMT200EN,115 | NXP USA Inc. | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-261-4, TO-261AA | MOSFET N-CH 100V 1.8A SC-73 | 对比 |
| PMT200EN,135 | NXP USA Inc. | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-261-4, TO-261AA | MOSFET N-CH 100V 1.8A SC-73 | 对比 |
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