NTGD4169FT1G备选型号: NTGS3441BT1G
- 隐藏公共属性
- 型号:
- 品牌:
- 描述:
- 生命周期状态
- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 引脚数
- 晶体管元件材料
- 操作温度
- 包装
- 已出版
- JESD-609代码
- 无铅代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- ECCN 代码
- 端子表面处理
- 端子位置
- 终端形式
- 峰值回流焊温度(摄氏度)
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 引脚数量
- 资历状况
- 元素配置
- 操作模式
- 功率耗散
- 场效应管类型
- 晶体管应用
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- Vgs(最大值)
- 下降时间(典型值)
- 连续放电电流(ID)
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 漏极-源极导通最大电阻
- 漏源击穿电压
- 场效应管特性
- RoHS状态
- 无铅
- 配置
- 最大漏极电流 (Abs) (ID)
- MOSFET N-CH 30V 2.6A 6-TSOPLAST SHIPMENTS (Last Updated: 1 week ago)表面贴装表面贴装SOT-23-66SILICON2.6A Ta-25°C~150°C TJTape & Reel (TR)2008e3yesObsolete1 (Unlimited)6EAR99Tin (Sn)DUAL鸥翼未说明未说明6不合格Single增强型MOSFET900mWN-ChannelSWITCHING90m Ω @ 2.6A, 4.5V1.5V @ 250μA295pF @ 15V5.5nC @ 4.5V4ns±12V4 ns2.6A12V0.09Ohm30VSchottky Diode (Isolated)符合RoHS标准无铅--
- MOSFET P-CH 20V 2.2A 6-TSOPLAST SHIPMENTS (Last Updated: 1 week ago)表面贴装表面贴装SOT-23-66SILICON2.2A Ta-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)2007e3yesObsolete1 (Unlimited)6EAR99Tin (Sn)DUAL鸥翼未说明未说明6不合格-增强型MOSFET1.1WP-ChannelSWITCHING90m Ω @ 3A, 4.5V900mV @ 250μA630pF @ 10V9nC @ 4.5V6ns±8V6 ns2.2A8V0.09Ohm20V-符合RoHS标准无铅SINGLE WITH BUILT-IN DIODE3A
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| NTGS3443BT1G | ON Semiconductor | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | SOT-23-6 | MOSFET P-CH 20V 2.7A 6-TSOP | 对比 | |
| NTGS3441BT1G | ON Semiconductor | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | SOT-23-6 | MOSFET P-CH 20V 2.2A 6-TSOP | 对比 | |
| PMN49EN,135 | NXP USA Inc. | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | SC-74, SOT-457 | MOSFET N-CH 30V 4.6A 6TSOP | 对比 |


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