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首页 全部分类 NTGD4169FT1G vs PMN49EN,135

NTGD4169FT1G备选型号: PMN49EN,135

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  • 型号:
  • 品牌:
  • 描述:
  • 生命周期状态
  • 底架
  • 安装类型
  • 包装/外壳
  • 引脚数
  • 晶体管元件材料
  • 操作温度
  • 包装
  • 已出版
  • JESD-609代码
  • 无铅代码
  • 零件状态
  • 湿度敏感性等级(MSL)
  • 终止次数
  • ECCN 代码
  • 端子表面处理
  • 端子位置
  • 终端形式
  • 峰值回流焊温度（摄氏度）
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • 引脚数量
  • 资历状况
  • 元素配置
  • 操作模式
  • 功率耗散
  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 上升时间
  • Vgs（最大值）
  • 下降时间（典型值）
  • 连续放电电流(ID)
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • 漏源击穿电压
  • 场效应管特性
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 系列
  • 漏源电压 (Vdss)
  • 源Url状态检查日期
  • ON Semiconductor
    NTGD4169FT1G
    ON Semiconductor
    MOSFET N-CH 30V 2.6A 6-TSOP
    LAST SHIPMENTS (Last Updated: 1 week ago)
    表面贴装
    表面贴装
    SOT-23-6
    6
    SILICON
    2.6A Ta
    -25°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2008
    e3
    yes
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    6
    EAR99
    Tin (Sn)
    DUAL
    鸥翼
    未说明
    未说明
    6
    不合格
    Single
    增强型MOSFET
    900mW
    N-Channel
    SWITCHING
    90m Ω @ 2.6A, 4.5V
    1.5V @ 250μA
    295pF @ 15V
    5.5nC @ 4.5V
    4ns
    ±12V
    4 ns
    2.6A
    12V
    0.09Ohm
    30V
    Schottky Diode (Isolated)
    符合RoHS标准
    无铅
    -
    -
    -
  • NXP USA Inc.
    PMN49EN,135
    NXP USA Inc.
    MOSFET N-CH 30V 4.6A 6TSOP
    -
    -
    表面贴装
    SC-74, SOT-457
    -
    -
    4.6A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2007
    -
    -
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    6
    -
    -
    -
    -
    N-Channel
    -
    47m Ω @ 2A, 10V
    2V @ 1mA
    350pF @ 30V
    8.8nC @ 4.5V
    -
    ±20V
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    ROHS3 Compliant
    -
    TrenchMOS™
    30V
    2013-06-14 00:00:00
  • 添加型号
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