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首页 全部分类 NTHD4N02FT1G vs NTHS5443T1

NTHD4N02FT1G备选型号: NTHS5443T1

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  • 湿度敏感性等级(MSL)
  • 终止次数
  • ECCN 代码
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  • 端子位置
  • 终端形式
  • 峰值回流焊温度（摄氏度）
  • 额定电流
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • 引脚数量
  • 资历状况
  • 配置
  • 操作模式
  • 功率耗散
  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 上升时间
  • Vgs（最大值）
  • 下降时间（典型值）
  • 连续放电电流(ID)
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 最大漏极电流 (Abs) (ID)
  • 漏源击穿电压
  • 场效应管特性
  • 反馈上限-最大值 (Crss)
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 附加功能
  • Reach合规守则
  • 漏源电压 (Vdss)
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • ON Semiconductor
    NTHD4N02FT1G
    ON Semiconductor
    MOSFET 20V 3.9A N-Channel w/3.7A Schottky
    LAST SHIPMENTS (Last Updated: 11 hours ago)
    表面贴装
    表面贴装
    8-SMD, Flat Lead
    8
    SILICON
    2.9A Tj
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2005
    e3
    yes
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    8
    EAR99
    Tin (Sn)
    20V
    DUAL
    C 弯管
    260
    2.7A
    40
    8
    不合格
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    910mW
    N-Channel
    SWITCHING
    80m Ω @ 2.9A, 4.5V
    1.2V @ 250μA
    300pF @ 10V
    4nC @ 4.5V
    9ns
    ±12V
    9 ns
    3.9A
    12V
    2.9A
    20V
    Schottky Diode (Isolated)
    50 pF
    符合RoHS标准
    无铅
    -
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    NTHS5443T1
    ON Semiconductor
    MOSFET P-CH 20V 3.6A CHIPFET
    -
    表面贴装
    表面贴装
    8-SMD, Flat Lead
    8
    SILICON
    3.6A Ta
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2005
    e0
    -
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    8
    EAR99
    Tin/Lead (Sn/Pb)
    -20V
    DUAL
    C 弯管
    未说明
    -3.6A
    未说明
    8
    不合格
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    1.3W
    P-Channel
    SWITCHING
    65m Ω @ 3.6A, 4.5V
    600mV @ 250μA
    -
    12nC @ 4.5V
    14ns
    ±12V
    14 ns
    3.6A
    12V
    -
    -20V
    -
    -
    Non-RoHS Compliant
    含铅
    逻辑电平兼容
    not_compliant
    20V
    0.065Ohm
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