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首页 全部分类 NTHD4P02FT1G vs DMP2225L-7

NTHD4P02FT1G备选型号: DMP2225L-7

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  • 晶体管应用
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  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
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  • 上升时间
  • 漏源电压 (Vdss)
  • Vgs（最大值）
  • 下降时间（典型值）
  • 连续放电电流(ID)
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏源击穿电压
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • 场效应管特性
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 底架
  • 质量
  • ECCN 代码
  • 附加功能
  • 通道数量
  • 元素配置
  • DS 击穿电压-最小值
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • ON Semiconductor
    NTHD4P02FT1G
    ON Semiconductor
    MOSFET P-CH 20V 2.2A CHIPFET
    ACTIVE (Last Updated: 6 days ago)
    8 Weeks
    表面贴装
    8-SMD, Flat Lead
    YES
    8
    SILICON
    2.2A Tj
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2004
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    8
    130MOhm
    Tin (Sn)
    -20V
    DUAL
    C 弯管
    260
    -3A
    40
    8
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    1.1W
    7 ns
    P-Channel
    SWITCHING
    155m Ω @ 2.2A, 4.5V
    1.2V @ 250μA
    300pF @ 10V
    6nC @ 4.5V
    13ns
    20V
    ±12V
    13 ns
    -2.2A
    12V
    -20V
    9A
    Schottky Diode (Isolated)
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Diodes Incorporated
    DMP2225L-7
    Diodes Incorporated
    MOSFET P-CH 20V 2.6A SOT23-3
    -
    6 Weeks
    表面贴装
    TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
    -
    3
    SILICON
    2.6A Ta
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    1999
    e3
    yes
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    3
    -
    哑光锡
    -
    DUAL
    鸥翼
    260
    -
    40
    3
    -
    增强型MOSFET
    1.08W
    -
    P-Channel
    SWITCHING
    110m Ω @ 2.6A, 4.5V
    1.25V @ 250μA
    250pF @ 10V
    5.3nC @ 4.5V
    -
    20V
    ±12V
    -
    2.6A
    12V
    -
    -
    -
    无
    ROHS3 Compliant
    -
    表面贴装
    7.994566mg
    EAR99
    HIGH RELIABILITY
    1
    Single
    20V
    1mm
    2.9mm
    1.3mm
    无SVHC
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