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首页 全部分类 NTHD4P02FT1G vs IRLML2246TRPBF

NTHD4P02FT1G备选型号: IRLML2246TRPBF

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  • 晶体管应用
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  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 上升时间
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  • Vgs（最大值）
  • 下降时间（典型值）
  • 连续放电电流(ID)
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏源击穿电压
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • 场效应管特性
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 底架
  • 系列
  • ECCN 代码
  • 元素配置
  • 阈值电压
  • 恢复时间
  • 栅源电压
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • ON Semiconductor
    NTHD4P02FT1G
    ON Semiconductor
    MOSFET P-CH 20V 2.2A CHIPFET
    ACTIVE (Last Updated: 6 days ago)
    8 Weeks
    表面贴装
    8-SMD, Flat Lead
    YES
    8
    SILICON
    2.2A Tj
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2004
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    8
    130MOhm
    Tin (Sn)
    -20V
    DUAL
    C 弯管
    260
    -3A
    40
    8
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    1.1W
    7 ns
    P-Channel
    SWITCHING
    155m Ω @ 2.2A, 4.5V
    1.2V @ 250μA
    300pF @ 10V
    6nC @ 4.5V
    13ns
    20V
    ±12V
    13 ns
    -2.2A
    12V
    -20V
    9A
    Schottky Diode (Isolated)
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    IRLML2246TRPBF
    Infineon Technologies
    MOSFET P-CH 20V 2.6A SOT23
    -
    12 Weeks
    表面贴装
    TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
    -
    3
    SILICON
    2.6A Ta
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2012
    e3
    -
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    236MOhm
    Matte Tin (Sn)
    -
    DUAL
    鸥翼
    -
    -
    -
    -
    -
    增强型MOSFET
    1.3W
    5.3 ns
    P-Channel
    SWITCHING
    135m Ω @ 2.6A, 4.5V
    1.1V @ 10μA
    220pF @ 16V
    2.9nC @ 4.5V
    7.7ns
    20V
    ±12V
    16 ns
    2.6A
    12V
    -20V
    -
    -
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    表面贴装
    HEXFET®
    EAR99
    Single
    -1.1V
    26 ns
    -1.1 V
    1.02mm
    3.04mm
    1.4mm
    无SVHC
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