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NTHS5402T1备选型号: QH8MA3TCR
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- 安装类型
- 包装/外壳
- 晶体管元件材料
- 操作温度
- 包装
- 已出版
- JESD-609代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- ECCN 代码
- 端子表面处理
- 电压 - 额定直流
- 端子位置
- 终端形式
- Reach合规守则
- 额定电流
- 引脚数量
- JESD-30代码
- 资历状况
- 配置
- 操作模式
- 场效应管类型
- 晶体管应用
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- Vgs（最大值）
- 连续放电电流(ID)
- 漏极-源极导通最大电阻
- RoHS状态
- 无铅
- 工厂交货时间
- 最大功率耗散
- 峰值回流焊温度（摄氏度）
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 漏源电压 (Vdss)
- 极性/通道类型
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
- DS 击穿电压-最小值
- 雪崩能量等级（Eas）
- 场效应管技术
- 场效应管特性
MOSFET N-CH 30V 4.9A CHIPFET表面贴装表面贴装8-SMD, Flat LeadSILICON4.9A Ta-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)2003e0Obsolete1 (Unlimited)8EAR99Tin/Lead (Sn/Pb)30VDUALC 弯管not_compliant4.9A8R-XDSO-C8不合格SINGLE WITH BUILT-IN DIODE增强型MOSFETN-ChannelSWITCHING35m Ω @ 4.9A, 10V1V @ 250μA20nC @ 10V10ns±20V4.9A0.035OhmNon-RoHS Compliant含铅------------
MOSFET N/P-CH 30V TSMT8表面贴装表面贴装8-SMD, Flat LeadSILICON7A 5.5A150°C TJCut Tape (CT)2015-活跃1 (Unlimited)8EAR99--DUAL-not_compliant--R-PDSO-F8-SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE增强型MOSFETN and P-ChannelSWITCHING29m Ω @ 7A, 10V2.5V @ 1mA7.2nC @ 10V--5.5A0.029OhmROHS3 Compliant-20 Weeks1.5W未说明未说明300pF @ 15V30VN-CHANNEL AND P-CHANNEL18A30V1.8 mJMETAL-OXIDE SEMICONDUCTORStandard- 添加型号
| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
 | MCH6436-TL-W | ON Semiconductor | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | 6-SMD, Flat Leads | MOSFET N-CH 30V 6A MCPH6 | 对比 |
| QH8MA3TCR | ROHM Semiconductor | 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 | 8-SMD, Flat Lead | MOSFET N/P-CH 30V TSMT8 | 对比 |
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