NTHS5443T1备选型号: NTHS5441T1G
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- 型号:
- 品牌:
- 描述:
- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 引脚数
- 晶体管元件材料
- 操作温度
- 包装
- 已出版
- JESD-609代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- ECCN 代码
- 端子表面处理
- 附加功能
- 电压 - 额定直流
- 端子位置
- 终端形式
- 峰值回流焊温度(摄氏度)
- Reach合规守则
- 额定电流
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 引脚数量
- 资历状况
- 配置
- 操作模式
- 功率耗散
- 场效应管类型
- 晶体管应用
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- 漏源电压 (Vdss)
- Vgs(最大值)
- 下降时间(典型值)
- 连续放电电流(ID)
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 漏极-源极导通最大电阻
- 漏源击穿电压
- RoHS状态
- 无铅
- 生命周期状态
- 工厂交货时间
- 触点镀层
- 质量
- 无铅代码
- 元素配置
- 接通延迟时间
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 栅源电压
- 高度
- 长度
- 宽度
- 达到SVHC
- 辐射硬化
- MOSFET P-CH 20V 3.6A CHIPFET表面贴装表面贴装8-SMD, Flat Lead8SILICON3.6A Ta-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)2005e0Obsolete1 (Unlimited)8EAR99Tin/Lead (Sn/Pb)逻辑电平兼容-20VDUALC 弯管未说明not_compliant-3.6A未说明8不合格SINGLE WITH BUILT-IN DIODE增强型MOSFET1.3WP-ChannelSWITCHING65m Ω @ 3.6A, 4.5V600mV @ 250μA12nC @ 4.5V14ns20V±12V14 ns3.6A12V0.065Ohm-20VNon-RoHS Compliant含铅--------------
- MOSFET P-CH 20V 3.9A CHIPFET表面贴装表面贴装8-SMD, Flat Lead8SILICON3.9A Ta-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)2005e3活跃1 (Unlimited)8EAR99-逻辑电平兼容-20VDUALC 弯管260--3.9A408--增强型MOSFET1.3WP-ChannelSWITCHING46m Ω @ 3.9A, 4.5V1.2V @ 250μA22nC @ 4.5V22ns20V±12V22 ns5.3A12V0.06Ohm-20VROHS3 Compliant无铅ACTIVE (Last Updated: 10 hours ago)2 WeeksTin4.535924gyesSingle14 ns710pF @ 5V-1.2 V1.1mm3.1mm1.7mm无SVHC无
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| MCH6321-TL-W | ON Semiconductor | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | 6-SMD, Flat Leads | Trans MOSFET P-CH 20V 4A 6-Pin MCPH T/R | 对比 | |
| MCH6337-TL-W | ON Semiconductor | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | 6-SMD, Flat Leads | MOSFET P-CH 20V 4.5A MCPH6 | 对比 |



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