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首页 全部分类 NTHS5445T1 vs RT1C060UNTR

NTHS5445T1备选型号: RT1C060UNTR

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  • 晶体管应用
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  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
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  • 连续放电电流(ID)
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • DS 击穿电压-最小值
  • RoHS状态
  • 无铅
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  • 触点镀层
  • 无铅代码
  • 峰值回流焊温度（摄氏度）
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • JESD-30代码
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 上升时间
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 最大漏极电流 (Abs) (ID)
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • ON Semiconductor
    NTHS5445T1
    ON Semiconductor
    Trans MOSFET P-CH 8V 5.2A 8-Pin Chip FET T/R
    表面贴装
    表面贴装
    8-SMD, Flat Lead
    8
    SILICON
    5.2A Ta
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2003
    e0
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    8
    EAR99
    Tin/Lead (Sn/Pb)
    逻辑电平兼容
    -8V
    DUAL
    C 弯管
    not_compliant
    -5.2A
    8
    不合格
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    P-Channel
    SWITCHING
    35m Ω @ 5.2A, 4.5V
    450mV @ 250μA
    26nC @ 4.5V
    8V
    ±8V
    5.2A
    0.035Ohm
    8V
    Non-RoHS Compliant
    含铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • ROHM Semiconductor
    RT1C060UNTR
    ROHM Semiconductor
    MOSFET N-CH 20V 6A TSST8
    表面贴装
    表面贴装
    8-SMD, Flat Lead
    -
    SILICON
    6A Ta
    150°C TJ
    Cut Tape (CT)
    2010
    -
    不用于新设计
    1 (Unlimited)
    8
    EAR99
    -
    -
    -
    DUAL
    -
    -
    -
    8
    不合格
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    N-Channel
    SWITCHING
    28m Ω @ 6A, 4.5V
    1V @ 1mA
    11nC @ 4.5V
    20V
    ±10V
    6A
    0.033Ohm
    20V
    ROHS3 Compliant
    -
    10 Weeks
    Tin
    yes
    未说明
    未说明
    R-PDSO-F8
    870pF @ 10V
    30ns
    10V
    6A
    24A
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