ROHM Semiconductor RT1C060UNTR

工厂交货时间

10 Weeks

触点镀层

Tin

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

8-SMD, Flat Lead

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

6A Ta

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

1.5V 4.5V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

650mW Ta

操作温度

150°C TJ

包装

Cut Tape (CT)

已出版

2010

无铅代码

yes

零件状态

不用于新设计

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

8

ECCN 代码

EAR99

端子位置

DUAL

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

时间@峰值回流温度-最大值(s)

未说明

引脚数量

8

JESD-30代码

R-PDSO-F8

资历状况

不合格

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

28m Ω @ 6A, 4.5V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

1V @ 1mA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

870pF @ 10V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

11nC @ 4.5V

上升时间

30ns

漏源电压 (Vdss)

20V

Vgs（最大值）

±10V

连续放电电流(ID)

6A

栅极至源极电压(Vgs)

10V

最大漏极电流 (Abs) (ID)

6A

漏极-源极导通最大电阻

0.033Ohm

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

24A

DS 击穿电压-最小值

20V

RoHS状态

ROHS3 Compliant