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首页 全部分类 NTJD2152PT1 vs BSD816SNL6327HTSA1

NTJD2152PT1备选型号: BSD816SNL6327HTSA1

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  • 漏极-源极导通最大电阻
  • 漏源击穿电压
  • 场效应管技术
  • 场效应管特性
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  • RoHS状态
  • 无铅
  • 工厂交货时间
  • 系列
  • 附加功能
  • 端子位置
  • 配置
  • 接通延迟时间
  • Vgs（最大值）
  • 最大双电源电压
  • ON Semiconductor
    NTJD2152PT1
    ON Semiconductor
    MOSFET 2P-CH 8V 0.775A SOT-363
    OBSOLETE (Last Updated: 21 hours ago)
    表面贴装
    表面贴装
    6-TSSOP, SC-88, SOT-363
    6
    SILICON
    2
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2006
    e0
    no
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    6
    EAR99
    Tin/Lead (Sn80Pb20)
    -8V
    270mW
    鸥翼
    240
    not_compliant
    -775mA
    30
    NTJD2152P
    6
    不合格
    Dual
    增强型MOSFET
    270mW
    2 P-Channel (Dual)
    SWITCHING
    300m Ω @ 570mA, 4.5V
    1V @ 250μA
    225pF @ 8V
    4nC @ 4.5V
    23ns
    23 ns
    775mA
    8V
    0.775A
    0.3Ohm
    -8V
    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
    逻辑电平门
    40 pF
    Non-RoHS Compliant
    含铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    BSD816SNL6327HTSA1
    Infineon Technologies
    Trans MOSFET N-CH 20V 1.4A 6-Pin SOT-363 T/R
    -
    表面贴装
    表面贴装
    6-VSSOP, SC-88, SOT-363
    6
    SILICON
    1.4A Ta
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2013
    -
    yes
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    6
    EAR99
    -
    -
    -
    鸥翼
    未说明
    -
    -
    未说明
    -
    6
    不合格
    -
    增强型MOSFET
    -
    N-Channel
    -
    160m Ω @ 1.4A, 2.5V
    950mV @ 3.7μA
    180pF @ 10V
    0.6nC @ 2.5V
    9ns
    2.2 ns
    1.4A
    8V
    -
    -
    -
    -
    -
    10 pF
    符合RoHS标准
    -
    12 Weeks
    OptiMOS™
    雪崩 额定
    DUAL
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    5.3 ns
    ±8V
    20V
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