NTJD2152PT1G备选型号: DMN2004DWK-7
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- 描述:
- 生命周期状态
- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 引脚数
- 晶体管元件材料
- 操作温度
- 包装
- 已出版
- JESD-609代码
- 无铅代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- ECCN 代码
- 端子表面处理
- 电压 - 额定直流
- 最大功率耗散
- 终端形式
- 峰值回流焊温度(摄氏度)
- 额定电流
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 基本部件号
- 引脚数量
- 资历状况
- 元素配置
- 操作模式
- 功率耗散
- 场效应管类型
- 晶体管应用
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- 下降时间(典型值)
- 连续放电电流(ID)
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 最大漏极电流 (Abs) (ID)
- 漏极-源极导通最大电阻
- 漏源击穿电压
- 场效应管技术
- 场效应管特性
- 反馈上限-最大值 (Crss)
- RoHS状态
- 无铅
- 工厂交货时间
- 质量
- 电阻
- 附加功能
- 接通延迟时间
- 阈值电压
- 最大结点温度(Tj)
- 高度
- 长度
- 宽度
- 达到SVHC
- MOSFET 2P-CH 8V 0.775A SOT-363LAST SHIPMENTS (Last Updated: 20 hours ago)表面贴装表面贴装6-TSSOP, SC-88, SOT-3636SILICON2-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)2006e3yesObsolete1 (Unlimited)6EAR99Tin (Sn)-8V270mW鸥翼260-775mA40NTJD2152P6不合格Dual增强型MOSFET270mW2 P-Channel (Dual)SWITCHING300m Ω @ 570mA, 4.5V1V @ 250μA225pF @ 8V4nC @ 4.5V23ns23 ns775mA8V0.775A0.3Ohm-8VMETAL-OXIDE SEMICONDUCTOR逻辑电平门40 pF符合RoHS标准无铅-----------
- MOSFET Dual N-Channel-表面贴装表面贴装6-TSSOP, SC-88, SOT-3636SILICON2-65°C~150°C TJTape & Reel (TR)2011e3yes活跃1 (Unlimited)6EAR99Matte Tin (Sn)20V200mW鸥翼260540mA40DMN2004DWK6不合格Dual增强型MOSFET200mW2 N-Channel (Dual)SWITCHING550m Ω @ 540mA, 4.5V1V @ 250μA150pF @ 16V---540mA8V0.54A-20VMETAL-OXIDE SEMICONDUCTOR逻辑电平门-ROHS3 Compliant无铅16 Weeks6.010099mg550mOhmHIGH RELIABILITY4.1 ns1V150°C1.1mm2.2mm1.35mm无SVHC
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | DMN2004DWK-7 | Diodes Incorporated | 晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | MOSFET Dual N-Channel | 对比 |
![]() | DMP2004DWK-7 | Diodes Incorporated | 晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | Dual P-Channel 20 V 900 mOhm Enhancement Mode Mosfet - SOT-363 | 对比 |
![]() | BSD816SNL6327HTSA1 | Infineon Technologies | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | 6-VSSOP, SC-88, SOT-363 | Trans MOSFET N-CH 20V 1.4A 6-Pin SOT-363 T/R | 对比 |




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