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首页 全部分类 NTJS4405NT1G vs BSD235NH6327XTSA1

NTJS4405NT1G备选型号: BSD235NH6327XTSA1

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  • 终端形式
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  • 接通延迟时间
  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
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  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
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  • 栅极至源极电压(Vgs)
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  • 漏极-源极导通最大电阻
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  • 宽度
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 无铅
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  • 系列
  • 附加功能
  • 最大功率耗散
  • 基本部件号
  • 参考标准
  • 无卤素
  • 阈值电压
  • 最大双电源电压
  • 场效应管技术
  • 最大结点温度（Tj）
  • 场效应管特性
  • ON Semiconductor
    NTJS4405NT1G
    ON Semiconductor
    MOSFET N-CH 25V 1A SOT-363
    ACTIVE (Last Updated: 1 day ago)
    2 Weeks
    表面贴装
    6-TSSOP, SC-88, SOT-363
    YES
    6
    SILICON
    1A Ta
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2006
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    6
    EAR99
    Tin (Sn)
    25V
    DUAL
    鸥翼
    260
    1.2A
    40
    6
    Single
    增强型MOSFET
    630mW
    6 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    350m Ω @ 600mA, 4.5V
    1.5V @ 250μA
    60pF @ 10V
    1.5nC @ 4.5V
    4.7ns
    ±8V
    4.7 ns
    1.2A
    8V
    1A
    0.35Ohm
    25V
    1mm
    2.2mm
    1.35mm
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    BSD235NH6327XTSA1
    Infineon Technologies
    Trans MOSFET N-CH 20V 0.95A 6-Pin SOT-363 T/R
    -
    10 Weeks
    表面贴装
    6-VSSOP, SC-88, SOT-363
    -
    6
    SILICON
    2
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2013
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    6
    EAR99
    Tin (Sn)
    -
    -
    鸥翼
    -
    -
    -
    -
    -
    增强型MOSFET
    500mW
    3.8 ns
    2 N-Channel (Dual)
    -
    350m Ω @ 950mA, 4.5V
    1.2V @ 1.6μA
    63pF @ 10V
    0.32nC @ 4.5V
    3.6ns
    -
    -
    950mA
    12V
    0.95A
    0.35Ohm
    20V
    1mm
    2mm
    1.25mm
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    表面贴装
    OptiMOS™
    雪崩 额定
    500mW
    BSD235
    AEC-Q101
    无卤素
    700mV
    20V
    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
    150°C
    逻辑电平门
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