NTLJD2104PTBG备选型号: FDC6318P
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- 包装
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- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 最高工作温度
- 最小工作温度
- 最大功率耗散
- 元素配置
- 功率耗散
- 功率 - 最大
- 场效应管类型
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- 漏源电压 (Vdss)
- 下降时间(典型值)
- 连续放电电流(ID)
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 漏源击穿电压
- 输入电容
- 场效应管特性
- 漏源电阻
- 最大rds
- RoHS状态
- 无铅
- 工厂交货时间
- 质量
- 晶体管元件材料
- 系列
- JESD-609代码
- 无铅代码
- 终止次数
- 终端
- ECCN 代码
- 电阻
- 端子表面处理
- 电压 - 额定直流
- 终端形式
- 额定电流
- 通道数量
- 操作模式
- 接通延迟时间
- 晶体管应用
- 阈值电压
- 双电源电压
- 场效应管技术
- 最大结点温度(Tj)
- 栅源电压
- 高度
- 长度
- 宽度
- 达到SVHC
- 辐射硬化
- MOSFET 2P-CH 12V 2.4A 6WDFNLAST SHIPMENTS (Last Updated: 5 days ago)表面贴装表面贴装6-WDFN Exposed Pad66-WDFN (2x2)2.4A-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)2008Obsolete1 (Unlimited)150°C-55°C700mWDual2.3W700mW2 P-Channel (Dual)90mOhm @ 3A, 4.5V800mV @ 250μA467pF @ 6V8nC @ 4.5V12.3ns12V16.2 ns2.4A8V-12V467pF逻辑电平门90mOhm90 mΩ符合RoHS标准无铅----------------------------
- Trans MOSFET P-CH 12V 2.5A 6-Pin SuperSOT T/RACTIVE (Last Updated: 2 days ago)表面贴装表面贴装SOT-23-6 Thin, TSOT-23-66-2.5A-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)2001活跃1 (Unlimited)--960mWDual960mW700mW2 P-Channel (Dual)90m Ω @ 2.5A, 4.5V1.5V @ 250μA455pF @ 6V8nC @ 4.5V14ns-14 ns-2.5A8V-12V-逻辑电平门--ROHS3 Compliant无铅10 Weeks36mgSILICONPowerTrench®e3yes6SMD/SMTEAR9990MOhmTin (Sn)-12V鸥翼-2.5A2增强型MOSFET9 nsSWITCHING-700mV12VMETAL-OXIDE SEMICONDUCTOR150°C700 mV1.1mm3mm1.7mm无SVHC无
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| FDC6318P | ON Semiconductor | 晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 | Trans MOSFET P-CH 12V 2.5A 6-Pin SuperSOT T/R | 对比 | |
![]() | FDG330P | ON Semiconductor | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | Trans MOSFET P-CH 12V 2A 6-Pin SC-70 T/R | 对比 |



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