ON Semiconductor NTLJD2104PTBG
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NTLJD2104PTBG
1807-NTLJD2104PTBG
晶体管 - FET,MOSFET - 阵列
6-WDFN Exposed Pad
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MOSFET 2P-CH 12V 2.4A 6WDFN
1最小包装量--
NTLJD2104PTBG详情
ON Semiconductor NTLJD2104PTBG重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
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生命周期状态
LAST SHIPMENTS (Last Updated: 5 days ago)
底架
表面贴装
安装类型
表面贴装
包装/外壳
6-WDFN Exposed Pad
引脚数
6
供应商器件包装
6-WDFN (2x2)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
2.4A
Turn Off Delay Time
14 ns
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
已出版
2008
零件状态
Obsolete
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
最高工作温度
150°C
最小工作温度
-55°C
最大功率耗散
700mW
元素配置
Dual
功率耗散
2.3W
功率 - 最大
700mW
场效应管类型
2 P-Channel (Dual)
Rds On(Max)@Id,Vgs
90mOhm @ 3A, 4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
800mV @ 250μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
467pF @ 6V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
8nC @ 4.5V
上升时间
12.3ns
漏源电压 (Vdss)
12V
下降时间(典型值)
16.2 ns
连续放电电流(ID)
2.4A
栅极至源极电压(Vgs)
8V
漏源击穿电压
-12V
输入电容
467pF
场效应管特性
逻辑电平门
漏源电阻
90mOhm
最大rds
90 mΩ
RoHS状态
符合RoHS标准
无铅
无铅
NTLJD2104PTBG拓展信息









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