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首页 全部分类 NTLJD2105LTBG vs NTHD5905T1

NTLJD2105LTBG备选型号: NTHD5905T1

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  • 功率耗散
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  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
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  • 连续放电电流(ID)
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • 漏源击穿电压
  • 场效应管技术
  • 场效应管特性
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 电压 - 额定直流
  • Reach合规守则
  • 额定电流
  • 配置
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 上升时间
  • 漏源电压 (Vdss)
  • 最大漏极电流 (Abs) (ID)
  • DS 击穿电压-最小值
  • ON Semiconductor
    NTLJD2105LTBG
    ON Semiconductor
    Trans MOSFET N/P-CH 4.3A 6-Pin WDFN T/R
    LAST SHIPMENTS (Last Updated: 2 days ago)
    表面贴装
    表面贴装
    6-WDFN Exposed Pad
    6
    SILICON
    2
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2007
    e3
    yes
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    6
    EAR99
    Matte Tin (Sn)
    520mW
    C 弯管
    265
    40
    6
    不合格
    Dual
    增强型MOSFET
    520mW
    DRAIN
    N and P-Channel
    SWITCHING
    50m Ω @ 4A, 4.5V
    1V @ 250μA
    N-CHANNEL AND P-CHANNEL
    2.5A
    8V
    0.05Ohm
    8V
    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
    Standard
    符合RoHS标准
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    NTHD5905T1
    ON Semiconductor
    Trans MOSFET P-CH 8V 3A 8-Pin Chip FET T/R
    -
    表面贴装
    表面贴装
    8-SMD, Flat Lead
    8
    SILICON
    2
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2003
    e0
    -
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    8
    EAR99
    Tin/Lead (Sn/Pb)
    1.1W
    C 弯管
    未说明
    未说明
    8
    不合格
    -
    增强型MOSFET
    -
    -
    2 P-Channel (Dual)
    SWITCHING
    90m Ω @ 3A, 4.5V
    450mV @ 250μA
    -
    3A
    -
    0.09Ohm
    -
    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
    逻辑电平门
    Non-RoHS Compliant
    含铅
    -8V
    not_compliant
    -3A
    SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
    9nC @ 4.5V
    45ns
    8V
    3A
    8V
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