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首页 全部分类 NTLJD2105LTBG vs NTLJS1102PTAG

NTLJD2105LTBG备选型号: NTLJS1102PTAG

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  • 元素配置
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  • 箱体转运
  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
  • 极性/通道类型
  • 连续放电电流(ID)
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • 漏源击穿电压
  • 场效应管技术
  • 场效应管特性
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 端子位置
  • 配置
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 上升时间
  • 漏源电压 (Vdss)
  • Vgs（最大值）
  • 下降时间（典型值）
  • ON Semiconductor
    NTLJD2105LTBG
    ON Semiconductor
    Trans MOSFET N/P-CH 4.3A 6-Pin WDFN T/R
    LAST SHIPMENTS (Last Updated: 2 days ago)
    表面贴装
    表面贴装
    6-WDFN Exposed Pad
    6
    SILICON
    2
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2007
    e3
    yes
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    6
    EAR99
    Matte Tin (Sn)
    520mW
    C 弯管
    265
    40
    6
    不合格
    Dual
    增强型MOSFET
    520mW
    DRAIN
    N and P-Channel
    SWITCHING
    50m Ω @ 4A, 4.5V
    1V @ 250μA
    N-CHANNEL AND P-CHANNEL
    2.5A
    8V
    0.05Ohm
    8V
    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
    Standard
    符合RoHS标准
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    NTLJS1102PTAG
    ON Semiconductor
    MOSFET PFET WDFN6 8V 8.1A 36mOhm
    LAST SHIPMENTS (Last Updated: 2 days ago)
    表面贴装
    表面贴装
    6-WDFN Exposed Pad
    6
    SILICON
    3.7A Ta
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2008
    e3
    yes
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    6
    EAR99
    Tin (Sn)
    -
    无铅
    未说明
    未说明
    6
    不合格
    -
    增强型MOSFET
    3.3W
    DRAIN
    P-Channel
    SWITCHING
    36m Ω @ 6.2A, 4.5V
    720mV @ 250μA
    -
    3.7A
    6V
    -
    -8V
    -
    -
    符合RoHS标准
    无铅
    DUAL
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    1585pF @ 4V
    25nC @ 4.5V
    41ns
    8V
    ±6V
    70 ns
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