ON Semiconductor NTLJD2105LTBG

生命周期状态

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底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

6-WDFN Exposed Pad

引脚数

6

晶体管元件材料

SILICON

Number of Elements

2

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

已出版

2007

JESD-609代码

e3

无铅代码

yes

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

6

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Matte Tin (Sn)

最大功率耗散

520mW

终端形式

C 弯管

峰值回流焊温度（摄氏度）

265

时间@峰值回流温度-最大值(s)

40

引脚数量

6

资历状况

不合格

元素配置

Dual

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

520mW

箱体转运

DRAIN

场效应管类型

N and P-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

50m Ω @ 4A, 4.5V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

1V @ 250μA

极性/通道类型

N-CHANNEL AND P-CHANNEL

连续放电电流(ID)

2.5A

栅极至源极电压(Vgs)

8V

漏极-源极导通最大电阻

0.05Ohm

漏源击穿电压

8V

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

场效应管特性

Standard

RoHS状态

符合RoHS标准

无铅

无铅