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首页 全部分类 NTLJD3115PT1G vs DMS2120LFWB-7

NTLJD3115PT1G备选型号: DMS2120LFWB-7

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  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
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  • 上升时间
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  • 连续放电电流(ID)
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏源击穿电压
  • 场效应管技术
  • 场效应管特性
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  • 宽度
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 底架
  • 质量
  • 端子表面处理
  • 端子位置
  • 配置
  • 通道数量
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  • Vgs（最大值）
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • 达到SVHC
  • ON Semiconductor
    NTLJD3115PT1G
    ON Semiconductor
    MOSFET 2P-CH 20V 2.3A 6-WDFN
    ACTIVE (Last Updated: 3 days ago)
    9 Weeks
    Tin
    表面贴装
    6-WDFN Exposed Pad
    YES
    6
    SILICON
    2.3A
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2006
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    6
    EAR99
    100MOhm
    逻辑电平兼容
    -20V
    710mW
    C 弯管
    260
    -4.1A
    40
    NTLJD3115P
    6
    Dual
    增强型MOSFET
    1.5W
    DRAIN
    6 ns
    2 P-Channel (Dual)
    SWITCHING
    100m Ω @ 2A, 4.5V
    1V @ 250μA
    531pF @ 10V
    6.2nC @ 4.5V
    15ns
    15 ns
    3.3A
    8V
    20V
    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
    逻辑电平门
    750μm
    2mm
    2mm
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Diodes Incorporated
    DMS2120LFWB-7
    Diodes Incorporated
    MOSFET P-CH 20V 2.9A 8DFN
    -
    6 Weeks
    -
    表面贴装
    8-VDFN Exposed Pad
    -
    8
    SILICON
    2.9A Ta
    -55°C~150°C TJ
    Cut Tape (CT)
    2012
    e4
    yes
    Discontinued
    1 (Unlimited)
    8
    EAR99
    -
    HIGH RELIABILITY
    -
    -
    -
    260
    -
    40
    -
    8
    -
    增强型MOSFET
    -
    DRAIN
    -
    P-Channel
    SWITCHING
    95m Ω @ 2.8A, 4.5V
    1.3V @ 250μA
    632pF @ 10V
    -
    -
    -
    2.9A
    12V
    -20V
    -
    Schottky Diode (Isolated)
    780μm
    3mm
    2mm
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    表面贴装
    37.393021mg
    Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)
    DUAL
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    1
    20V
    ±12V
    0.095Ohm
    无SVHC
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