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首页 全部分类 NTLJD3181PZTBG vs FDG332PZ

NTLJD3181PZTBG备选型号: FDG332PZ

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  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 最大漏极电流 (Abs) (ID)
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • 漏源击穿电压
  • 场效应管技术
  • 场效应管特性
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 工厂交货时间
  • 质量
  • 系列
  • 电阻
  • 端子位置
  • 接通延迟时间
  • Vgs（最大值）
  • 阈值电压
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • ON Semiconductor
    NTLJD3181PZTBG
    ON Semiconductor
    MOSFET 2P-CH 20V 2.2A 6WDFN
    LAST SHIPMENTS (Last Updated: 1 week ago)
    表面贴装
    表面贴装
    6-WDFN Exposed Pad
    6
    SILICON
    2
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2008
    e3
    yes
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    6
    EAR99
    Tin (Sn)
    710mW
    无铅
    未说明
    未说明
    6
    不合格
    Dual
    增强型MOSFET
    1.5W
    2 P-Channel (Dual)
    SWITCHING
    100m Ω @ 2A, 4.5V
    1V @ 250μA
    450pF @ 10V
    7.8nC @ 4.5V
    9ns
    20V
    9 ns
    2.2A
    8V
    3.2A
    0.1Ohm
    20V
    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
    逻辑电平门
    符合RoHS标准
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    FDG332PZ
    ON Semiconductor
    Trans MOSFET P-CH 20V 2.6A 6-Pin SC-70 T/R
    ACTIVE (Last Updated: 2 days ago)
    表面贴装
    表面贴装
    6-TSSOP, SC-88, SOT-363
    6
    SILICON
    2.6A Ta
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2008
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    6
    EAR99
    Tin (Sn)
    -
    鸥翼
    -
    -
    -
    -
    Single
    增强型MOSFET
    750mW
    P-Channel
    SWITCHING
    95m Ω @ 2.6A, 4.5V
    1.5V @ 250μA
    560pF @ 10V
    10.8nC @ 4.5V
    4.8ns
    -
    4.8 ns
    2.6A
    8V
    -
    -
    20V
    -
    -
    ROHS3 Compliant
    无铅
    10 Weeks
    28mg
    PowerTrench®
    95MOhm
    DUAL
    5.2 ns
    ±8V
    -700mV
    1mm
    2mm
    1.25mm
    无SVHC
    无
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