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首页 全部分类 NTLJD3181PZTBG vs ZXMN2B01FTA

NTLJD3181PZTBG备选型号: ZXMN2B01FTA

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  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
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  • 连续放电电流(ID)
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 最大漏极电流 (Abs) (ID)
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • 漏源击穿电压
  • 场效应管技术
  • 场效应管特性
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 工厂交货时间
  • 质量
  • 电阻
  • 端子位置
  • 通道数量
  • 接通延迟时间
  • Vgs（最大值）
  • DS 击穿电压-最小值
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • ON Semiconductor
    NTLJD3181PZTBG
    ON Semiconductor
    MOSFET 2P-CH 20V 2.2A 6WDFN
    LAST SHIPMENTS (Last Updated: 1 week ago)
    表面贴装
    表面贴装
    6-WDFN Exposed Pad
    6
    SILICON
    2
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2008
    e3
    yes
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    6
    EAR99
    Tin (Sn)
    710mW
    无铅
    未说明
    未说明
    6
    不合格
    Dual
    增强型MOSFET
    1.5W
    2 P-Channel (Dual)
    SWITCHING
    100m Ω @ 2A, 4.5V
    1V @ 250μA
    450pF @ 10V
    7.8nC @ 4.5V
    9ns
    20V
    9 ns
    2.2A
    8V
    3.2A
    0.1Ohm
    20V
    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
    逻辑电平门
    符合RoHS标准
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Diodes Incorporated
    ZXMN2B01FTA
    Diodes Incorporated
    MOSFET N-CH 20V 2.1A SOT23-3
    -
    表面贴装
    表面贴装
    TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
    3
    SILICON
    2.1A Ta
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2006
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    Matte Tin (Sn)
    -
    鸥翼
    260
    40
    3
    -
    Single
    增强型MOSFET
    806mW
    N-Channel
    SWITCHING
    100m Ω @ 2.4A, 4.5V
    1V @ 250μA
    370pF @ 10V
    4.8nC @ 4.5V
    3.6ns
    20V
    3.6 ns
    2.4A
    8V
    -
    -
    -
    -
    -
    ROHS3 Compliant
    无铅
    17 Weeks
    7.994566mg
    100mOhm
    DUAL
    1
    2.2 ns
    ±8V
    20V
    1.02mm
    3.04mm
    1.4mm
    无SVHC
    无
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