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首页 全部分类 NTLJS3113PTAG vs DMN2016LHAB-7

NTLJS3113PTAG备选型号: DMN2016LHAB-7

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  • 晶体管应用
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  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 最大漏极电流 (Abs) (ID)
  • 漏源击穿电压
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • 辐射硬化
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  • 无铅
  • 底架
  • 供应商器件包装
  • 最高工作温度
  • 最小工作温度
  • 最大功率耗散
  • 通道数量
  • 功率 - 最大
  • 漏源电压 (Vdss)
  • 输入电容
  • 场效应管特性
  • 漏源电阻
  • 最大rds
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • ON Semiconductor
    NTLJS3113PTAG
    ON Semiconductor
    MOSFET P-CH 20V 3.5A 6-WDFN
    ACTIVE (Last Updated: 1 week ago)
    5 Weeks
    表面贴装
    6-WDFN Exposed Pad
    YES
    6
    SILICON
    3.5A Ta
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2007
    e3
    yes
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    6
    EAR99
    40MOhm
    Tin (Sn)
    逻辑电平兼容
    DUAL
    C 弯管
    6
    Single
    增强型MOSFET
    1.9W
    DRAIN
    6.9 ns
    P-Channel
    SWITCHING
    40m Ω @ 3A, 4.5V
    1V @ 250μA
    1329pF @ 16V
    15.7nC @ 4.5V
    17.5ns
    ±8V
    17.5 ns
    -5.8A
    8V
    3.5A
    20V
    23A
    无
    符合RoHS标准
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Diodes Incorporated
    DMN2016LHAB-7
    Diodes Incorporated
    MOSFET 2N-CH 20V 7.5A 6UDFN
    -
    14 Weeks
    表面贴装
    6-UDFN Exposed Pad
    -
    6
    -
    7.5A
    -55°C~150°C TJ
    Cut Tape (CT)
    2013
    -
    -
    活跃
    1 (Unlimited)
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    Dual
    -
    -
    -
    6.9 ns
    2 N-Channel (Dual) Common Drain
    -
    15.5mOhm @ 4A, 4.5V
    1.1V @ 250μA
    1550pF @ 10V
    16nC @ 4.5V
    15.5ns
    -
    12 ns
    7.5A
    12V
    -
    20V
    -
    无
    ROHS3 Compliant
    -
    表面贴装
    U-DFN2030-6
    150°C
    -55°C
    1.2W
    2
    1.2W
    20V
    1.55nF
    逻辑电平门
    30mOhm
    15.5 mΩ
    600μm
    2.05mm
    3.05mm
    无SVHC
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