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首页 全部分类 NTLJS4114NT1G vs DMN3730UFB4-7

NTLJS4114NT1G备选型号: DMN3730UFB4-7

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  • 峰值回流焊温度（摄氏度）
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  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
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  • 上升时间
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  • 连续放电电流(ID)
  • 阈值电压
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏源击穿电压
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • 栅源电压
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  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 触点镀层
  • 底架
  • 资历状况
  • 配置
  • 通道数量
  • 最大漏极电流 (Abs) (ID)
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • ON Semiconductor
    NTLJS4114NT1G
    ON Semiconductor
    MOSFET N-CH 30V 3.6A 6-WDFN
    ACTIVE (Last Updated: 2 days ago)
    9 Weeks
    表面贴装
    6-WDFN Exposed Pad
    YES
    6
    SILICON
    3.6A Ta
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    µCool™
    2005
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    6
    EAR99
    35MOhm
    Tin (Sn)
    逻辑电平兼容
    DUAL
    C 弯管
    260
    40
    6
    Single
    增强型MOSFET
    700mW
    DRAIN
    5 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    35m Ω @ 2A, 4.5V
    1V @ 250μA
    无卤素
    650pF @ 15V
    13nC @ 4.5V
    9ns
    ±12V
    9 ns
    7.8A
    550mV
    12V
    30V
    28A
    550 mV
    750μm
    2mm
    2mm
    无SVHC
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Diodes Incorporated
    DMN3730UFB4-7
    Diodes Incorporated
    MOSFET N-CH 30V 750MA DFN
    -
    17 Weeks
    表面贴装
    3-XFDFN
    -
    3
    SILICON
    750mA Ta
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    -
    2012
    e4
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    -
    -
    HIGH RELIABILITY
    BOTTOM
    无铅
    260
    40
    3
    -
    增强型MOSFET
    690mW
    DRAIN
    3.5 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    460m Ω @ 200mA, 4.5V
    950mV @ 250μA
    -
    64.3pF @ 25V
    1.6nC @ 4.5V
    2.8ns
    ±8V
    13 ns
    910mA
    450mV
    8V
    30V
    -
    -
    350μm
    1.08mm
    675μm
    无SVHC
    -
    ROHS3 Compliant
    无铅
    Gold
    表面贴装
    不合格
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    1
    0.75A
    0.46Ohm
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