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技术文档

价格梯度
内地含税价
1
¥4.814762
10
¥4.542228
100
¥4.285121
500
¥4.042567
1000
¥3.813739
Diodes Incorporated DMG4800LFG-7
- 收藏
- 对比
DMG4800LFG-7
671-DMG4800LFG-7
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
8-PowerUDFN
大陆
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MOSFET N-CH 30V 7.44A 8DFN
--最小包装量--
¥
总价: ¥
DMG4800LFG-7详情
Diodes Incorporated DMG4800LFG-7重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
工厂交货时间
16 Weeks
底架
表面贴装
安装类型
表面贴装
包装/外壳
8-PowerUDFN
引脚数
8
晶体管元件材料
SILICON
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
7.44A Ta
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V 10V
Number of Elements
1
Power Dissipation (Max)
940mW Ta
Turn Off Delay Time
26.33 ns
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Digi-Reel®
已出版
2009
JESD-609代码
e4
无铅代码
yes
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
5
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)
端子位置
DUAL
峰值回流焊温度(摄氏度)
260
时间@峰值回流温度-最大值(s)
40
引脚数量
8
JESD-30代码
S-PDSO-N5
配置
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
通道数量
1
操作模式
增强型MOSFET
箱体转运
DRAIN
接通延迟时间
5.03 ns
场效应管类型
N-Channel
晶体管应用
SWITCHING
Rds On(Max)@Id,Vgs
17m Ω @ 9A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
1.5V @ 250μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
798pF @ 10V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
9.47nC @ 5V
上升时间
4.5ns
漏源电压 (Vdss)
30V
Vgs(最大值)
±25V
下降时间(典型值)
8.55 ns
连续放电电流(ID)
7.44A
栅极至源极电压(Vgs)
25V
DS 击穿电压-最小值
30V
达到SVHC
无SVHC
辐射硬化
无
RoHS状态
ROHS3 Compliant
DMG4800LFG-7拓展信息
Diodes Incorporated
Diodes Incorporated
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