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首页 全部分类 NTLJS4114NTAG vs IRLL3303TRPBF

NTLJS4114NTAG备选型号: IRLL3303TRPBF

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  • 端子位置
  • 终端形式
  • 峰值回流焊温度（摄氏度）
  • 额定电流
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • JESD-30代码
  • 操作模式
  • 功率耗散
  • 箱体转运
  • 接通延迟时间
  • 晶体管应用
  • 上升时间
  • 下降时间（典型值）
  • 阈值电压
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏源击穿电压
  • 双电源电压
  • 恢复时间
  • 栅源电压
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • ON Semiconductor
    NTLJS4114NTAG
    ON Semiconductor
    MOSFET N-CH 30V 3.6A 6WDFN
    ACTIVE (Last Updated: 2 days ago)
    13 Weeks
    表面贴装
    6-WDFN Exposed Pad
    YES
    6
    3.6A Ta
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2006
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    EAR99
    Tin (Sn)
    6
    Single
    N-Channel
    35m Ω @ 2A, 4.5V
    1V @ 250μA
    650pF @ 15V
    13nC @ 4.5V
    30V
    ±12V
    3.6A
    6A
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
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    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    IRLL3303TRPBF
    Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 30V 4.6A SOT223
    -
    10 Weeks
    表面贴装
    TO-261-4, TO-261AA
    -
    3
    4.6A Ta
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    1999
    e3
    -
    不用于新设计
    1 (Unlimited)
    EAR99
    -
    -
    Single
    N-Channel
    31m Ω @ 4.6A, 10V
    1V @ 250μA
    840pF @ 25V
    50nC @ 10V
    -
    ±16V
    4.6A
    6.5A
    ROHS3 Compliant
    Contains Lead, Lead Free
    Tin
    表面贴装
    SILICON
    HEXFET®
    4
    31mOhm
    LOGIC LEVEL COMPATIBLE, HIGH RELIABILITY
    30V
    DUAL
    鸥翼
    260
    4.6A
    30
    R-PDSO-G4
    增强型MOSFET
    2.1W
    DRAIN
    7.2 ns
    SWITCHING
    22ns
    28 ns
    1V
    16V
    30V
    30V
    98 ns
    1 V
    1.8mm
    6.6802mm
    3.7mm
    无SVHC
    无
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